化合物半导体
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:387
2003年2月底在圣地亚哥（美国）召开了“化合物半导体2003年展望”会议。除高亮度led和大带隙固态激光器外，一些电子器件市场和成熟的固态激光器市场还未恢复到其历史最好水平。某些gaas ic市场和sic器件市场今年将会增长。蓝光激光二极管受一些日本公司左右（日亚、索尼、nec、先锋、夏普、丰田合成等）。日本公司大力开发用于大容量光盘的这类激光器。
索尼公司在三月初推出一种新的消费产品??“蓝射线”dvd光盘，这是工艺上一项最新进展。它使存储容量由4.7gb（用红光激光器）增加到～27 gb，是由于采用了gan蓝光激光管。这种dvd售价是～3800美元/台。
gaas ic
某些“较大”的gaas ic及器件市场有所下降。一些gaas生产线和ⅲ-ⅴ族器件公司不得不“关、停、并、转”。只有那些生产最好性能产品的公司可得到发展。产品具有高的性价比对公司的生存和发展非常重要。
但gaas也有“亮点”：某些gaas ic市场可望增长，其中包括gaas进入蜂窝电话电子器件市场。该市场今后若干年的增长率将为5%～10%，在2.5g和3g蜂窝电话中将采用更多的gaas功率放大器和低噪声放大器。其它可望增加gaas市场的应用是宽带无线、军用和卫星通信。汽车雷达用gaas器件也可能是其下一个大容量市场，但要在2005年以后。
设备市场
mocvd沉积设备也像器件市场一样，有上有下。2000年，其产值增长50%，2001～2002年间下降1/3以上。但gan基高亮度led（hbled）生产能力还在增长。美国多年来是设备市场的“主力”，但去年（2002年）转到了亚洲。2002年，aixtron(mocvd主要制造厂之一)报导说，其设备销售额59%在亚洲，30%在美国，11%在欧洲，主要是台湾生产能力急剧扩大。
按所生产器件划分：mocvd设备50%用于led，20%用于电信/数字通信器件。现代mocvd反应器每次可生产ф6″7片，每年可生产ф6″片36000片。值得注意的其它工艺进展是8×ф4″晶片的生长gan基器件的反应器，若干参数的（不）均匀性可达<1%的水平。也推出了可生长ф8″gaas的反应器，其不均匀性也在～1%。会议讨论了生长 gan器件用常压mocvd（ap mocvd）工艺的开发。白光led芯片价格要从70日元（～57美分）下降到40日元（～33美分）以下（每个芯片），即每“流明”（lm）的价格降到0.1美分。这样可望扩大其室内照明光源市场。
氮化物led工艺
像北美一样，亚洲地区集中力量开发蓝、绿和白光led，尤其是台湾，迅速提高其gan器件生产能力。日本政府启动了“21世纪光源”工程。三菱电线工业公司是其主要承担者之一。用led得到白光有几种方法。日本这项工程则是采用多磷光体（红、绿、蓝或橙、黄、绿、蓝）来得到白光发射。美国则主要开发较短波长紫外led以制备白光led光源。
作为这项工程的一部分，三菱研究组开发了一种图形化的蓝宝石衬底，在其上生长 gan合金层，位错密度可下降到原来的1/3。早期曾制出了外量子效率24%以上的ingan led（发光波长382nm ）。2003年1月份，其外量子效率增加到43%以上（驱动电流100ma）。
用磷光体制备led的进展使目前某些磷光体得到新的应用。如掺铈yag（钇铝石榴石），目前绝大多数蓝光led+磷光粉所制白光led就是使用这种磷光体。但这种磷光体对led还不是最佳激发体，还需开发一种新颖的与led匹配的磷光体。三菱公司使用多磷光体来激发其380nm波长led：碱土金属磷酸盐基蓝光、zns基绿光及氧化钇基红光磷光体。这样所制白光led的光效为29lm/w。
sic进展
sic 大功率器件已进行了长期研究开发，它的好处是耐压高，工作频率在高频段的低→中范围。由于其带隙大，因而击穿电压较高，热导率较高，功率损耗小从而可在较高功率密度和较高温度下工作。但只是最近才有少数公司推出商品。主要工作集中在提高材料质量，例如，降低其微管道密度。sic器件正进入长期为 si器件（功率晶体管、二极管、整流器和晶闸管）所垄断的功率半导体市场。该市场去年达到120亿美元。cree公司有关人士估计，除二极管部分外，sic每年会占去约1/3或30亿美元的市场并有很大的增长潜力。sic功率器件的优势是：击穿电压是si器件的10倍，（开启电阻小，开关速度更快），热导率是si的3倍（从而有较大的电流密度），又有较高的工作温度，这些优点使sic器件有较大的系统效率，较低的成本，组件尺寸小，开关频率高。
cree公司已推出600v（1～20a）和1200v（5a，10a）的sic整流器产品，其它许多应用领域都可能有sic商品，从而产生了一个新的化合物半导体市场??2000v器件很快会商品化，虽然它价格总是比si器件高，但在300v以上器件和其它的一些应用领域中使用sic器件是合算的??这些情况下，其大带隙的特点显得更为重要。
这类材料的特性还使其应用扩展到高频或射频功率晶体管领域，这方面，去年的市场规模约10亿美元，其中约60%在无线应用中，其次为航空电子器件及军工器件。在射频器件市场，sic器件也有潜力。已制出功率附加
索尼公司在三月初推出一种新的消费产品??“蓝射线”dvd光盘，这是工艺上一项最新进展。它使存储容量由4.7gb（用红光激光器）增加到～27 gb，是由于采用了gan蓝光激光管。这种dvd售价是～3800美元/台。
gaas ic
某些“较大”的gaas ic及器件市场有所下降。一些gaas生产线和ⅲ-ⅴ族器件公司不得不“关、停、并、转”。只有那些生产最好性能产品的公司可得到发展。产品具有高的性价比对公司的生存和发展非常重要。
但gaas也有“亮点”：某些gaas ic市场可望增长，其中包括gaas进入蜂窝电话电子器件市场。该市场今后若干年的增长率将为5%～10%，在2.5g和3g蜂窝电话中将采用更多的gaas功率放大器和低噪声放大器。其它可望增加gaas市场的应用是宽带无线、军用和卫星通信。汽车雷达用gaas器件也可能是其下一个大容量市场，但要在2005年以后。
设备市场
mocvd沉积设备也像器件市场一样，有上有下。2000年，其产值增长50%，2001～2002年间下降1/3以上。但gan基高亮度led（hbled）生产能力还在增长。美国多年来是设备市场的“主力”，但去年（2002年）转到了亚洲。2002年，aixtron(mocvd主要制造厂之一)报导说，其设备销售额59%在亚洲，30%在美国，11%在欧洲，主要是台湾生产能力急剧扩大。
按所生产器件划分：mocvd设备50%用于led，20%用于电信/数字通信器件。现代mocvd反应器每次可生产ф6″7片，每年可生产ф6″片36000片。值得注意的其它工艺进展是8×ф4″晶片的生长gan基器件的反应器，若干参数的（不）均匀性可达<1%的水平。也推出了可生长ф8″gaas的反应器，其不均匀性也在～1%。会议讨论了生长 gan器件用常压mocvd（ap mocvd）工艺的开发。白光led芯片价格要从70日元（～57美分）下降到40日元（～33美分）以下（每个芯片），即每“流明”（lm）的价格降到0.1美分。这样可望扩大其室内照明光源市场。
氮化物led工艺
像北美一样，亚洲地区集中力量开发蓝、绿和白光led，尤其是台湾，迅速提高其gan器件生产能力。日本政府启动了“21世纪光源”工程。三菱电线工业公司是其主要承担者之一。用led得到白光有几种方法。日本这项工程则是采用多磷光体（红、绿、蓝或橙、黄、绿、蓝）来得到白光发射。美国则主要开发较短波长紫外led以制备白光led光源。
作为这项工程的一部分，三菱研究组开发了一种图形化的蓝宝石衬底，在其上生长 gan合金层，位错密度可下降到原来的1/3。早期曾制出了外量子效率24%以上的ingan led（发光波长382nm ）。2003年1月份，其外量子效率增加到43%以上（驱动电流100ma）。
用磷光体制备led的进展使目前某些磷光体得到新的应用。如掺铈yag（钇铝石榴石），目前绝大多数蓝光led+磷光粉所制白光led就是使用这种磷光体。但这种磷光体对led还不是最佳激发体，还需开发一种新颖的与led匹配的磷光体。三菱公司使用多磷光体来激发其380nm波长led：碱土金属磷酸盐基蓝光、zns基绿光及氧化钇基红光磷光体。这样所制白光led的光效为29lm/w。
sic进展
sic 大功率器件已进行了长期研究开发，它的好处是耐压高，工作频率在高频段的低→中范围。由于其带隙大，因而击穿电压较高，热导率较高，功率损耗小从而可在较高功率密度和较高温度下工作。但只是最近才有少数公司推出商品。主要工作集中在提高材料质量，例如，降低其微管道密度。sic器件正进入长期为 si器件（功率晶体管、二极管、整流器和晶闸管）所垄断的功率半导体市场。该市场去年达到120亿美元。cree公司有关人士估计，除二极管部分外，sic每年会占去约1/3或30亿美元的市场并有很大的增长潜力。sic功率器件的优势是：击穿电压是si器件的10倍，（开启电阻小，开关速度更快），热导率是si的3倍（从而有较大的电流密度），又有较高的工作温度，这些优点使sic器件有较大的系统效率，较低的成本，组件尺寸小，开关频率高。
cree公司已推出600v（1～20a）和1200v（5a，10a）的sic整流器产品，其它许多应用领域都可能有sic商品，从而产生了一个新的化合物半导体市场??2000v器件很快会商品化，虽然它价格总是比si器件高，但在300v以上器件和其它的一些应用领域中使用sic器件是合算的??这些情况下，其大带隙的特点显得更为重要。
这类材料的特性还使其应用扩展到高频或射频功率晶体管领域，这方面，去年的市场规模约10亿美元，其中约60%在无线应用中，其次为航空电子器件及军工器件。在射频器件市场，sic器件也有潜力。已制出功率附加
2003年2月底在圣地亚哥（美国）召开了“化合物半导体2003年展望”会议。除高亮度led和大带隙固态激光器外，一些电子器件市场和成熟的固态激光器市场还未恢复到其历史最好水平。某些gaas ic市场和sic器件市场今年将会增长。蓝光激光二极管受一些日本公司左右（日亚、索尼、nec、先锋、夏普、丰田合成等）。日本公司大力开发用于大容量光盘的这类激光器。
索尼公司在三月初推出一种新的消费产品??“蓝射线”dvd光盘，这是工艺上一项最新进展。它使存储容量由4.7gb（用红光激光器）增加到～27 gb，是由于采用了gan蓝光激光管。这种dvd售价是～3800美元/台。
gaas ic
某些“较大”的gaas ic及器件市场有所下降。一些gaas生产线和ⅲ-ⅴ族器件公司不得不“关、停、并、转”。只有那些生产最好性能产品的公司可得到发展。产品具有高的性价比对公司的生存和发展非常重要。
但gaas也有“亮点”：某些gaas ic市场可望增长，其中包括gaas进入蜂窝电话电子器件市场。该市场今后若干年的增长率将为5%～10%，在2.5g和3g蜂窝电话中将采用更多的gaas功率放大器和低噪声放大器。其它可望增加gaas市场的应用是宽带无线、军用和卫星通信。汽车雷达用gaas器件也可能是其下一个大容量市场，但要在2005年以后。
设备市场
mocvd沉积设备也像器件市场一样，有上有下。2000年，其产值增长50%，2001～2002年间下降1/3以上。但gan基高亮度led（hbled）生产能力还在增长。美国多年来是设备市场的“主力”，但去年（2002年）转到了亚洲。2002年，aixtron(mocvd主要制造厂之一)报导说，其设备销售额59%在亚洲，30%在美国，11%在欧洲，主要是台湾生产能力急剧扩大。
按所生产器件划分：mocvd设备50%用于led，20%用于电信/数字通信器件。现代mocvd反应器每次可生产ф6″7片，每年可生产ф6″片36000片。值得注意的其它工艺进展是8×ф4″晶片的生长gan基器件的反应器，若干参数的（不）均匀性可达<1%的水平。也推出了可生长ф8″gaas的反应器，其不均匀性也在～1%。会议讨论了生长 gan器件用常压mocvd（ap mocvd）工艺的开发。白光led芯片价格要从70日元（～57美分）下降到40日元（～33美分）以下（每个芯片），即每“流明”（lm）的价格降到0.1美分。这样可望扩大其室内照明光源市场。
氮化物led工艺
像北美一样，亚洲地区集中力量开发蓝、绿和白光led，尤其是台湾，迅速提高其gan器件生产能力。日本政府启动了“21世纪光源”工程。三菱电线工业公司是其主要承担者之一。用led得到白光有几种方法。日本这项工程则是采用多磷光体（红、绿、蓝或橙、黄、绿、蓝）来得到白光发射。美国则主要开发较短波长紫外led以制备白光led光源。
作为这项工程的一部分，三菱研究组开发了一种图形化的蓝宝石衬底，在其上生长 gan合金层，位错密度可下降到原来的1/3。早期曾制出了外量子效率24%以上的ingan led（发光波长382nm ）。2003年1月份，其外量子效率增加到43%以上（驱动电流100ma）。
用磷光体制备led的进展使目前某些磷光体得到新的应用。如掺铈yag（钇铝石榴石），目前绝大多数蓝光led+磷光粉所制白光led就是使用这种磷光体。但这种磷光体对led还不是最佳激发体，还需开发一种新颖的与led匹配的磷光体。三菱公司使用多磷光体来激发其380nm波长led：碱土金属磷酸盐基蓝光、zns基绿光及氧化钇基红光磷光体。这样所制白光led的光效为29lm/w。
sic进展
sic 大功率器件已进行了长期研究开发，它的好处是耐压高，工作频率在高频段的低→中范围。由于其带隙大，因而击穿电压较高，热导率较高，功率损耗小从而可在较高功率密度和较高温度下工作。但只是最近才有少数公司推出商品。主要工作集中在提高材料质量，例如，降低其微管道密度。sic器件正进入长期为 si器件（功率晶体管、二极管、整流器和晶闸管）所垄断的功率半导体市场。该市场去年达到120亿美元。cree公司有关人士估计，除二极管部分外，sic每年会占去约1/3或30亿美元的市场并有很大的增长潜力。sic功率器件的优势是：击穿电压是si器件的10倍，（开启电阻小，开关速度更快），热导率是si的3倍（从而有较大的电流密度），又有较高的工作温度，这些优点使sic器件有较大的系统效率，较低的成本，组件尺寸小，开关频率高。
cree公司已推出600v（1～20a）和1200v（5a，10a）的sic整流器产品，其它许多应用领域都可能有sic商品，从而产生了一个新的化合物半导体市场??2000v器件很快会商品化，虽然它价格总是比si器件高，但在300v以上器件和其它的一些应用领域中使用sic器件是合算的??这些情况下，其大带隙的特点显得更为重要。
这类材料的特性还使其应用扩展到高频或射频功率晶体管领域，这方面，去年的市场规模约10亿美元，其中约60%在无线应用中，其次为航空电子器件及军工器件。在射频器件市场，sic器件也有潜力。已制出功率附加
索尼公司在三月初推出一种新的消费产品??“蓝射线”dvd光盘，这是工艺上一项最新进展。它使存储容量由4.7gb（用红光激光器）增加到～27 gb，是由于采用了gan蓝光激光管。这种dvd售价是～3800美元/台。
gaas ic
某些“较大”的gaas ic及器件市场有所下降。一些gaas生产线和ⅲ-ⅴ族器件公司不得不“关、停、并、转”。只有那些生产最好性能产品的公司可得到发展。产品具有高的性价比对公司的生存和发展非常重要。
但gaas也有“亮点”：某些gaas ic市场可望增长，其中包括gaas进入蜂窝电话电子器件市场。该市场今后若干年的增长率将为5%～10%，在2.5g和3g蜂窝电话中将采用更多的gaas功率放大器和低噪声放大器。其它可望增加gaas市场的应用是宽带无线、军用和卫星通信。汽车雷达用gaas器件也可能是其下一个大容量市场，但要在2005年以后。
设备市场
mocvd沉积设备也像器件市场一样，有上有下。2000年，其产值增长50%，2001～2002年间下降1/3以上。但gan基高亮度led（hbled）生产能力还在增长。美国多年来是设备市场的“主力”，但去年（2002年）转到了亚洲。2002年，aixtron(mocvd主要制造厂之一)报导说，其设备销售额59%在亚洲，30%在美国，11%在欧洲，主要是台湾生产能力急剧扩大。
按所生产器件划分：mocvd设备50%用于led，20%用于电信/数字通信器件。现代mocvd反应器每次可生产ф6″7片，每年可生产ф6″片36000片。值得注意的其它工艺进展是8×ф4″晶片的生长gan基器件的反应器，若干参数的（不）均匀性可达<1%的水平。也推出了可生长ф8″gaas的反应器，其不均匀性也在～1%。会议讨论了生长 gan器件用常压mocvd（ap mocvd）工艺的开发。白光led芯片价格要从70日元（～57美分）下降到40日元（～33美分）以下（每个芯片），即每“流明”（lm）的价格降到0.1美分。这样可望扩大其室内照明光源市场。
氮化物led工艺
像北美一样，亚洲地区集中力量开发蓝、绿和白光led，尤其是台湾，迅速提高其gan器件生产能力。日本政府启动了“21世纪光源”工程。三菱电线工业公司是其主要承担者之一。用led得到白光有几种方法。日本这项工程则是采用多磷光体（红、绿、蓝或橙、黄、绿、蓝）来得到白光发射。美国则主要开发较短波长紫外led以制备白光led光源。
作为这项工程的一部分，三菱研究组开发了一种图形化的蓝宝石衬底，在其上生长 gan合金层，位错密度可下降到原来的1/3。早期曾制出了外量子效率24%以上的ingan led（发光波长382nm ）。2003年1月份，其外量子效率增加到43%以上（驱动电流100ma）。
用磷光体制备led的进展使目前某些磷光体得到新的应用。如掺铈yag（钇铝石榴石），目前绝大多数蓝光led+磷光粉所制白光led就是使用这种磷光体。但这种磷光体对led还不是最佳激发体，还需开发一种新颖的与led匹配的磷光体。三菱公司使用多磷光体来激发其380nm波长led：碱土金属磷酸盐基蓝光、zns基绿光及氧化钇基红光磷光体。这样所制白光led的光效为29lm/w。
sic进展
sic 大功率器件已进行了长期研究开发，它的好处是耐压高，工作频率在高频段的低→中范围。由于其带隙大，因而击穿电压较高，热导率较高，功率损耗小从而可在较高功率密度和较高温度下工作。但只是最近才有少数公司推出商品。主要工作集中在提高材料质量，例如，降低其微管道密度。sic器件正进入长期为 si器件（功率晶体管、二极管、整流器和晶闸管）所垄断的功率半导体市场。该市场去年达到120亿美元。cree公司有关人士估计，除二极管部分外，sic每年会占去约1/3或30亿美元的市场并有很大的增长潜力。sic功率器件的优势是：击穿电压是si器件的10倍，（开启电阻小，开关速度更快），热导率是si的3倍（从而有较大的电流密度），又有较高的工作温度，这些优点使sic器件有较大的系统效率，较低的成本，组件尺寸小，开关频率高。
cree公司已推出600v（1～20a）和1200v（5a，10a）的sic整流器产品，其它许多应用领域都可能有sic商品，从而产生了一个新的化合物半导体市场??2000v器件很快会商品化，虽然它价格总是比si器件高，但在300v以上器件和其它的一些应用领域中使用sic器件是合算的??这些情况下，其大带隙的特点显得更为重要。
这类材料的特性还使其应用扩展到高频或射频功率晶体管领域，这方面，去年的市场规模约10亿美元，其中约60%在无线应用中，其次为航空电子器件及军工器件。在射频器件市场，sic器件也有潜力。已制出功率附加
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