联电65nm芯片工艺采用SOI技术
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:459
除了ibm、amd在芯片工艺上采用soi(绝缘体上硅)技术之外,现在台湾第2大芯片代工厂商umc联电也宣布在旗下的65nm芯片生产线上开始采用soi技术。
绝缘体上硅(soi)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是sio2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。soi技术可以改善芯片性能,降低漏电,以及减少芯片功耗。随着微处理器(cpu)、图形芯片(gpu)制程对绝缘层上覆硅技术(soi)需求愈来愈强,soi已成各大芯片代工角逐核心客户青睐的武器。
联电表示,借助soi技术,旗下65nm工艺晶圆更加紧凑,芯片切割率可以比无soi技术的65nm晶圆提升25%,同时联电65nmsoi技术的芯片功耗可以降低30%,联电65nmsoi技术的芯片工作频率可以最大提升28%,联电65nmsoi技术的芯片的生产成本可以降低10%。
联电目前也是除tmsc台积电之外,全球第2大芯片代工厂商。
绝缘体上硅(soi)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是sio2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。soi技术可以改善芯片性能,降低漏电,以及减少芯片功耗。随着微处理器(cpu)、图形芯片(gpu)制程对绝缘层上覆硅技术(soi)需求愈来愈强,soi已成各大芯片代工角逐核心客户青睐的武器。
联电表示,借助soi技术,旗下65nm工艺晶圆更加紧凑,芯片切割率可以比无soi技术的65nm晶圆提升25%,同时联电65nmsoi技术的芯片功耗可以降低30%,联电65nmsoi技术的芯片工作频率可以最大提升28%,联电65nmsoi技术的芯片的生产成本可以降低10%。
联电目前也是除tmsc台积电之外,全球第2大芯片代工厂商。
除了ibm、amd在芯片工艺上采用soi(绝缘体上硅)技术之外,现在台湾第2大芯片代工厂商umc联电也宣布在旗下的65nm芯片生产线上开始采用soi技术。
绝缘体上硅(soi)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是sio2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。soi技术可以改善芯片性能,降低漏电,以及减少芯片功耗。随着微处理器(cpu)、图形芯片(gpu)制程对绝缘层上覆硅技术(soi)需求愈来愈强,soi已成各大芯片代工角逐核心客户青睐的武器。
联电表示,借助soi技术,旗下65nm工艺晶圆更加紧凑,芯片切割率可以比无soi技术的65nm晶圆提升25%,同时联电65nmsoi技术的芯片功耗可以降低30%,联电65nmsoi技术的芯片工作频率可以最大提升28%,联电65nmsoi技术的芯片的生产成本可以降低10%。
联电目前也是除tmsc台积电之外,全球第2大芯片代工厂商。
绝缘体上硅(soi)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是sio2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。soi技术可以改善芯片性能,降低漏电,以及减少芯片功耗。随着微处理器(cpu)、图形芯片(gpu)制程对绝缘层上覆硅技术(soi)需求愈来愈强,soi已成各大芯片代工角逐核心客户青睐的武器。
联电表示,借助soi技术,旗下65nm工艺晶圆更加紧凑,芯片切割率可以比无soi技术的65nm晶圆提升25%,同时联电65nmsoi技术的芯片功耗可以降低30%,联电65nmsoi技术的芯片工作频率可以最大提升28%,联电65nmsoi技术的芯片的生产成本可以降低10%。
联电目前也是除tmsc台积电之外,全球第2大芯片代工厂商。
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