领先的光刻系统供应商的研究表明，在45nm工艺中，晶片平面度的细微差异会消耗高达50%的关键光刻焦深预算。在 kla-tencor公司wafersight 1系统占据市场领先地位的基础上，wafersight 2系统能够实现更严格的裸晶片平面度规格，并帮助芯片制造商战胜焦深挑战，其快速精确的新一代45nm平面度测量功能将让晶片制造商和集成电路公司双双获益。

　　kla-tencor 的成长与新兴市场副总裁 jeff donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸级别，晶片平面度、形状及表面形貌的差异对制程区段、光刻优率及其它制造工艺的影响更大。与先前的 ade wafersight 1 相比，新型 wafersight 2 系统具备更佳的光学与测量隔离，可实现更高的分辨率、匹配率和精确度，不仅能帮助晶片制造商大幅提升其制造规格，以满足 45nm 的要求，还能让芯片制造商测量将要使用的晶片，以确保生产的工艺质量。同时，这套系统的产能可降低运营成本，并提高效率。”

　　纳米形貌控制已成为45nm 节点的关键，因为它是化学机械研磨(cmp) 中缩小制程极限的根本，且会引起光刻中的微距量测(cd) 差异。新型wafersight 2 具备业界领先的纳米形貌测量性能和更高精度，并且是第一个以单一非破坏性测量方式进行前后两面纳米形貌测量的系统。

　　wafersight 2将平面度和纳米形貌测量合并在一个系统上，与多工具解决方案相比，可缩短周期时间，减少在制品(wip) 的排队与移动时间，缩小所占空间，并提高设施的使用效率。wafersight 2还可与kla-tencor的数据管理系统 fabvision无缝结合，形成一套可离线分析存档数据或当前度量数据的完整解决方案，并可提供完全自定义的图表和报告。

　　wafersight 2 测试现场合作伙伴soitec 公司的soi 产品平台副总裁christophe maleville 表示：“我们对wafersight 2 系统的评估表明，这套工具的所有测量模式在同类产品中均具备领先性能，可提供卓越的长期重复能力与测量稳定性。wafersight 2 系统的先进性能使其适合于新一代 45nm 生产，且在评估测试阶段和实际生产中，均表现出极佳的稳定性。wafersight 2 度量系统已被接受用于硅和 soi 生产，且将成为soitec 以后晶片几何度量的一个关键系统。”