bjt有三个端点，分别为：集电极(c)、基极(b)、发射极(e)。在一个npn晶体管中，电流会从集极流至射极，如果集极-射极偏压(vce)大于等于某一个正电压(例如，0.2v的饱和电压)，且基极-射极偏压(vbe)大于0.6v或更多一些。在pnp晶体管中，电流电压极性刚好与npn相反。图（a）中的t1是一个pnp晶体管，t2则是一个npn晶体管。如果rs与rw愈大，那么latch-up便愈可能发生，其等效电路图如图 (b)中所示。如果有足够的电流流入n型衬底而从p型阱中流出，在rs两端的电压将可能有足够大的偏压使得t1和t2两个晶体管进入线性区而如同一小电阻。因此从电源会流出多少电流就由rs的值来决定，这个电流可能足够大而使得电路故障。

为了缓和这种效应，我们可以降低bjt的增益值并且减少rs与rw的电阻值。我们可以加上衬底接点(substrate contact)，它可以有效减少rs、rw电阻值。在现在大部分的制造中设计者并不需要太担心latch-up的问题，只要设计时使用充分的衬底接点。事实上，现在要分析出加多少的衬底接点就可以避免latch-up这个问题是很难的。