光敏二极管的主要特性参数
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:640
①最高反向工作电压vrm:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μa时所能承受的最高反向电压值。
②暗电流id:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。
③光电流il:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856k钨丝光源，照度为10001x。
④光电灵敏度sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μa/μw。
隔 ⑤响应时间tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。
⑥正向压降vf:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。
⑦结电容cj:指光敏二极管pn结的电容。cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小，结电容cj也就越小，则工作频率越高。
②暗电流id:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。
③光电流il:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856k钨丝光源，照度为10001x。
④光电灵敏度sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μa/μw。
隔 ⑤响应时间tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。
⑥正向压降vf:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。
⑦结电容cj:指光敏二极管pn结的电容。cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小，结电容cj也就越小，则工作频率越高。
①最高反向工作电压vrm:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μa时所能承受的最高反向电压值。
②暗电流id:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。
③光电流il:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856k钨丝光源，照度为10001x。
④光电灵敏度sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μa/μw。
隔 ⑤响应时间tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。
⑥正向压降vf:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。
⑦结电容cj:指光敏二极管pn结的电容。cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小，结电容cj也就越小，则工作频率越高。
②暗电流id:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。
③光电流il:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856k钨丝光源，照度为10001x。
④光电灵敏度sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μa/μw。
隔 ⑤响应时间tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。
⑥正向压降vf:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。
⑦结电容cj:指光敏二极管pn结的电容。cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小，结电容cj也就越小，则工作频率越高。
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