图一左边的阴影区所示的区域为饱和区。管子产生饱和区的原因是:在集电极回路中，电源ec固定，通常总接入负载rl。当ic增大时，uce＝ec－icrl必然下降。当uce下降到ube以下时，ib再增大，ic基本上不再发生变化，ic达到饱和程度，此时半导体三极管失去电流放大能力。三极管处于饱和状态时，集电极与发射极之间的电压uce很小，此时的电压称为三极管的饱和压降，以uces表示。小功率硅三极管的uces为0.3-1v;小功率锗三极管为0.2-0.3v;大功率三极管为1-3v。三极管处于饱和工作状态时，虽然失去了放大作用，但由于集电极和发射极之间相当于短接，因而三极管在电路开关中起到"通"的作用。