意法半导体(st)公司近日推出用于高性能usb2.0闪存驱动的创新双核控制器——st72681。这种器件用于提供所期望的设计灵活性和低成本，它采用基于st7 8位微控制器(mcu)的先进架构，以及快速16位每指令一周期输入/输出处理器，该处理器专用于闪存接口，而reed-solomon纠错处理器用于mlc nand闪存器件。
　　通过提供高性能，甚至在配合不同品牌nand闪存时也是如此，这款新型双核控制器芯片是面向usb端口与闪存之间接口的完整低成本交钥匙解决方案，并有一套生产工具来配合它，其中包括供应商id (vendor id)、产品id (product id)和用户序更号，以及led设定、格式化、引导功能和共公/私人区域划分。

　　st72681的先进架构为只有一个8位slc (single level cell) nand闪存提供高性能读(超过12mbps)和写功能。读性能将超过20mbps，写性能将超过16mbps。此外，在512b区块编码器/解码器引擎上嵌入reed-solomon 4字节将会改善不工作时的硬件纠错，特别是mlc (multi-level cell) nand闪存器件。

　　st72681已由usb实施论坛(usb-if)认证为业界最低功耗(等待模式下仅为290ua，工作电流为50ma)。st72681 usb2.0闪存驱动控制器采用小占位面积的tqfp48封装.