Linear推出高速高输入电源电压同步MOSFET驱动器
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:321
这个强大的驱动器可采用1.2ω的下拉阻抗和提供高达2.5a的电流以驱动高端mosfet，而采用0.55ω下拉阻抗可提供3a电流以驱动低端mosfet，非常适用于驱动高栅极电容、大电流mosfet。ltc4444还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动1000pf负载时，高端mosfet的8ns快速上升时间、5ns下降时间和低端mosfet的6ns上升时间、3ns下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端的mosfet同时导通。
ltc4444为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源，这可能在比地高114v时正常工作。另外，这个器件在7.2v至13.5v的范围内驱动高端和低端的mosfet栅极。ltc4444ems8和ltc4444ims8都采用耐热增强型msop-8封装，以1,000片为单位批量购买，每片价格为1.69美元。
性能概要
高速/高压同步n沟道mosfet驱动器
100v最大电源电压
高驱动电流：提供3a电流，采用0.55ω吸收电流
7.2v至13.5v的栅极驱动电压
自适应贯通保护
驱动1000pf负载时，高端栅极8ns上升时间和5ns下降时间
驱动1000pf负载时，低端栅极6ns上升时间和3ns下降时间
欠压闭锁用于提供栅极驱动电压
耐热增强型msop-8封装
这个强大的驱动器可采用1.2ω的下拉阻抗和提供高达2.5a的电流以驱动高端mosfet，而采用0.55ω下拉阻抗可提供3a电流以驱动低端mosfet，非常适用于驱动高栅极电容、大电流mosfet。ltc4444还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动1000pf负载时，高端mosfet的8ns快速上升时间、5ns下降时间和低端mosfet的6ns上升时间、3ns下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端的mosfet同时导通。
ltc4444为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源，这可能在比地高114v时正常工作。另外，这个器件在7.2v至13.5v的范围内驱动高端和低端的mosfet栅极。ltc4444ems8和ltc4444ims8都采用耐热增强型msop-8封装，以1,000片为单位批量购买，每片价格为1.69美元。
性能概要
高速/高压同步n沟道mosfet驱动器
100v最大电源电压
高驱动电流：提供3a电流，采用0.55ω吸收电流
7.2v至13.5v的栅极驱动电压
自适应贯通保护
驱动1000pf负载时，高端栅极8ns上升时间和5ns下降时间
驱动1000pf负载时，低端栅极6ns上升时间和3ns下降时间
欠压闭锁用于提供栅极驱动电压
耐热增强型msop-8封装
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