国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出一款新型60v directfet 功率 mosfet－irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mω(vgs=10v)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。

单个采用so-8封装的irf6648，性能可与两个并联的同类增强型so-8器件相媲美。irf6648最适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。

如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72w增加15%。这完全归功于ir directfet mosfet 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。

ir中国及香港销售总监严国富指出：“我们扩展了中压directfet mosfet产品系列，这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。”

“irf6648是一种多功能器件，可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有源oring系统。”

ir的directfet mosfet封装已获得专利，它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能，使用以驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力增加了一倍。另外，directfet封装的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”（rohs）的要求。

irf6648 directfet mosfet现已供货。以1万件订货量计算，单价为1.29美元，价格可能会有变动。产品基本规格如下：


产品编号 封装 vdss (v) vgs＝10v下的最大rds（on） 典型qg (nc) 典型qgd (nc)
irf6648 directfet mn 60 7mω 36 14

ir还提供以下设计工具和应用指南：

· an-1035 –directfet mosfet电路板安装指南
· an-1050 –directfet mosfet物料及实际应用
· an-1059 –directfet mosfet 的热模型和特性

此外设计人员还可以访问ir的directfet网上搜索中心，进一步了解如何利用directfet器件的独特优点及其如何增强电气和热性能的信息。