瑞萨科技公司(renesas)宣布推出具有两个功率mosfet的hat2210wp，封装形式是wpak (瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装，尺寸仅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大)，用于笔记本电脑、通信设备及类似产品的dc-dc变换器中。在2004年10月29日，将从日本开始样品发货。

hat2210wp的主要特性如下。

(1) 低热阻

由于使用了wpak高热辐射封装，与目前sop-8封装的hat2210r相比，热阻减小了一半。可以控制的输出电流也提高了大约50%，因此可以减少具有高电流处理能力的dc-dc变换器所需要的功率mosfet的数目。

(2) 与sop-8封装的安装面积相同，但厚度仅有它的一半(0.8 mm (最大)。

hat2210wp需要的安装面积与业界标准的sop-8封装一样，是5.3 × 6.1 mm；但厚度大约仅是它的一半，为0.8 mm (最大)，使得dc-dc变换器可以做得更小巧。

安装在信息设备如笔记本电脑和服务器中的存储器、asic和其它芯片需要不同的驱动电压，因此，需要使用一些dc-dc变换器。这些dc-dc变换器需要两个功率mosfet，分别用于高边和低边*2应用。瑞萨科技目前大量生产的产品，具有两个功率mosfet，封装形式是sop-8封装，可以满足较小dc-dc变换器的需要。但是，各种芯片处理的数据量越来越大，需要可以处理更大电流、安装更多功率mosfet的dc-dc变换器。

在这样的背景下，瑞萨科技开发出了新型hat2210wp，它使用wpak高热辐射封装，可以提高可以控制的电流量，实现更高的dc-dc变换器电流容量，并减少安装的功率mosfet的数目。

hat2210wp安装在印刷电路板（40 × 40 × 1.6 mm玻璃环氧板单个功率mosfet操作）上时的热阻，从瑞萨科技目前sop-8封装产品的110ºc/w，下降了一半，达到55ºc/w。因此，可以控制的输出电流提高了50%多，从sop-8产品的3 a，提高到了5 a。当asic和其它芯片的驱动电流超过3 a，进入4 a－ 5 a范围时，单个hat2210wp就可以控制5 a的输出电流，而先前需要两个sop-8封装的具有两个功率mosfet的产品，因此，hat2210wp使得dc-dc变换器可以做得更小。

而且，由于安装了高边和低边功率mosfet，使用分裂漏结构。使用瑞萨科技最新的0.35 μm工艺的第8代功率mosfet，具有业界的最高性能，设计时进行了优化，使高边mosfet具有高开关速度、低边mosfet具有低导通电阻，因此可以实现很高的效率，从而满足dc-dc变换器低压输出的需要。

在低边mosfet中有一个肖特基势垒二极管，减小了mosfet和肖特基势垒二极管之间的接线电感*3。在dc-dc变换器死区时间过程中，可以加速肖特基势垒二极管的换向，从而消除效率恶化，并减小噪声。