电子线路CAD分析中高频电路的局限性
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:460
电子线路cad模拟软件pspice具有很强的功能,在电子线路设计中具有广阔的应用前景,但由于它对中高频下的电路复杂参数无法准确地描述,从而也就给高频电路的分析带来较在的困难。
关键词:电路模拟软件;pspice;频率电路;固有频率
探索片式电感的高频应用
引言
随着电子信息产业的迅猛发展,片式电感作为新型基础无源器件,以其良好的性能价格比和便于高密度贴装等显著优点,迅速得到了广泛应用,尤其在以移动手机为代表的通信终端设备中,片式电感获得了典型的高频应用。由于rf电路的工作频率不断提升,片式电感在应用方面的性能特点发生了明显变化,已经开始显现出低端微波频段的工作特性。因此,为有效提升片式电感的电性参数,改善rf电路性能,必须进一步分析其低频特性与高频特性的不同规律。
另一方面,不断推陈出新的通信系统(gsm、cdma、pcs、3g…)使得片式电感的工作频率逐步达到了2ghz甚至更高。因此,以传统的集中参数电路理论对片式电感器件进行阻抗分析,则显现出越来越明显的局限性。探索适合高频条件下的工程分析手段也已成为片式电感研发、生产、分析和应用的重要课题。
阻抗分析
电感的物理意义是利用导电线圈储存交变磁场能量,而在实际电路应用中,电感器件的主要作用则是向电路提供所需的感性阻抗,在与其他相关元件配合下完成相应的电路功能(匹配、滤波、振荡等)。常见的片式电感器件包括叠层片式、绕线片式、光刻薄膜等形式,其生产工艺和内电极结构均有所不同。但在中低频率条件下,由于信号波长远大于器件尺寸,器件的电路响应受内电极结构的影响较小,通常都可以采用集中参数等效模型(见图一)对片式电感的阻抗特性予以近似分析。据此可推导出常用电性能参数的函数式。
导纳函数
y(j )=({1}\over{r_{o}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})+j( c_{o}-{ l_{o}}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})
则阻抗函数
z(j )={1}\over{y(j )}=r( )+j ( )
可近似导出阻抗
z( )=\sqrt{r^{2}( )+ ^{2}( )}
={ l_{o}}\over\sqrt{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
电感量
l( )={ ( )}\over{ }={l_{o}(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({{ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
品质因素
q( )={ ( )}\over{r( )}={(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})}
其中
srf={1}\over{2 \sqrt{l_{o}c_{o}}}
=2 f
由这些函数表达式不难归纳出:
(1)在工作频率低于自谐频率srf时,片式电感的阻抗特性非常接近理想电感而呈现较好的线性特性,品质因素q也较高,因此通常以此确定电感的额定工作频段;
(2)在电感量l0为额定值时,提高自谐频率srf的唯一方法是减小寄生电容c0;
(3)在低频工作区,降低内电极电阻r将有效提升品质因素q值,而在高频工作区,减小电磁漏损(增大r0)对q值的提高则更为显著;
(4)当工作频率 高于自谐频率srf时,片式电感呈现出容性阻抗特性。
通常应用中,利用阻抗分析仪检测片式电感端电极间的z( )、l( )、q( )等参数,即可准确反映出工作频率下实际电路的响应特性,据此可进行准确的电路设计与器件选择。作为比较,图2中列出相同规格的高频电感(sghi1608h100n)与铁氧体电感(sgmi1608m100n)的l(f)、q(f)参数曲线,显然高频电感有更高的自谐频率和线性工作频段,而铁氧体电感则有较高的q值。
高频分析
当工作频率较高(2ghz左右)时,信号波长逐渐可以与器件尺寸相比拟。片式电感的阻抗呈现出明显的分布特性,即不同的参考位置存在不同阻抗。图1所示的分析模型已不适合用以描述高频工作的电感器件。在高频条件下,器件的电路响应可随其尺寸和空间结构的不同而发生相应变化,常规的阻抗测量参数已不能准确反映实际电路中的响应特性。以某型号移动手机rf功放电路为例,其中两款用于阻抗匹配的高频电感(工作频率1.9ghz)均采用光刻薄膜式电感,若以相同规格及精度,但q值明显较高的叠层片式电感(测量仪器hp-4291b)予以取代,其结果却是电路传输增益下降近10%。说明电路匹配状态下降,用低频分析方法显然无法准确解释高频应用问题,仅仅关注l( )和q( )对片式电感的高频分析是不适宜的,至少是不够的。
电磁场理论在工程中常用来分析具有分布特性的高频应用问题。通常在利用阻抗分析仪(hp-4291b)对片式电感进行的测量中,可通过夹具补偿和仪器校准等手段将测量精度提高到 0.1nh左右,理论上足以保证电路设计所需的精度要求。但不容忽视的问题是,此时的测量结果仅仅反映了匹配状态下(测量夹具设计为精确匹配)电感器件端电极界面之间的参数性能,对电感器
关键词:电路模拟软件;pspice;频率电路;固有频率
探索片式电感的高频应用
引言
随着电子信息产业的迅猛发展,片式电感作为新型基础无源器件,以其良好的性能价格比和便于高密度贴装等显著优点,迅速得到了广泛应用,尤其在以移动手机为代表的通信终端设备中,片式电感获得了典型的高频应用。由于rf电路的工作频率不断提升,片式电感在应用方面的性能特点发生了明显变化,已经开始显现出低端微波频段的工作特性。因此,为有效提升片式电感的电性参数,改善rf电路性能,必须进一步分析其低频特性与高频特性的不同规律。
另一方面,不断推陈出新的通信系统(gsm、cdma、pcs、3g…)使得片式电感的工作频率逐步达到了2ghz甚至更高。因此,以传统的集中参数电路理论对片式电感器件进行阻抗分析,则显现出越来越明显的局限性。探索适合高频条件下的工程分析手段也已成为片式电感研发、生产、分析和应用的重要课题。
阻抗分析
电感的物理意义是利用导电线圈储存交变磁场能量,而在实际电路应用中,电感器件的主要作用则是向电路提供所需的感性阻抗,在与其他相关元件配合下完成相应的电路功能(匹配、滤波、振荡等)。常见的片式电感器件包括叠层片式、绕线片式、光刻薄膜等形式,其生产工艺和内电极结构均有所不同。但在中低频率条件下,由于信号波长远大于器件尺寸,器件的电路响应受内电极结构的影响较小,通常都可以采用集中参数等效模型(见图一)对片式电感的阻抗特性予以近似分析。据此可推导出常用电性能参数的函数式。
导纳函数
y(j )=({1}\over{r_{o}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})+j( c_{o}-{ l_{o}}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})
则阻抗函数
z(j )={1}\over{y(j )}=r( )+j ( )
可近似导出阻抗
z( )=\sqrt{r^{2}( )+ ^{2}( )}
={ l_{o}}\over\sqrt{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
电感量
l( )={ ( )}\over{ }={l_{o}(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({{ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
品质因素
q( )={ ( )}\over{r( )}={(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})}
其中
srf={1}\over{2 \sqrt{l_{o}c_{o}}}
=2 f
由这些函数表达式不难归纳出:
(1)在工作频率低于自谐频率srf时,片式电感的阻抗特性非常接近理想电感而呈现较好的线性特性,品质因素q也较高,因此通常以此确定电感的额定工作频段;
(2)在电感量l0为额定值时,提高自谐频率srf的唯一方法是减小寄生电容c0;
(3)在低频工作区,降低内电极电阻r将有效提升品质因素q值,而在高频工作区,减小电磁漏损(增大r0)对q值的提高则更为显著;
(4)当工作频率 高于自谐频率srf时,片式电感呈现出容性阻抗特性。
通常应用中,利用阻抗分析仪检测片式电感端电极间的z( )、l( )、q( )等参数,即可准确反映出工作频率下实际电路的响应特性,据此可进行准确的电路设计与器件选择。作为比较,图2中列出相同规格的高频电感(sghi1608h100n)与铁氧体电感(sgmi1608m100n)的l(f)、q(f)参数曲线,显然高频电感有更高的自谐频率和线性工作频段,而铁氧体电感则有较高的q值。
高频分析
当工作频率较高(2ghz左右)时,信号波长逐渐可以与器件尺寸相比拟。片式电感的阻抗呈现出明显的分布特性,即不同的参考位置存在不同阻抗。图1所示的分析模型已不适合用以描述高频工作的电感器件。在高频条件下,器件的电路响应可随其尺寸和空间结构的不同而发生相应变化,常规的阻抗测量参数已不能准确反映实际电路中的响应特性。以某型号移动手机rf功放电路为例,其中两款用于阻抗匹配的高频电感(工作频率1.9ghz)均采用光刻薄膜式电感,若以相同规格及精度,但q值明显较高的叠层片式电感(测量仪器hp-4291b)予以取代,其结果却是电路传输增益下降近10%。说明电路匹配状态下降,用低频分析方法显然无法准确解释高频应用问题,仅仅关注l( )和q( )对片式电感的高频分析是不适宜的,至少是不够的。
电磁场理论在工程中常用来分析具有分布特性的高频应用问题。通常在利用阻抗分析仪(hp-4291b)对片式电感进行的测量中,可通过夹具补偿和仪器校准等手段将测量精度提高到 0.1nh左右,理论上足以保证电路设计所需的精度要求。但不容忽视的问题是,此时的测量结果仅仅反映了匹配状态下(测量夹具设计为精确匹配)电感器件端电极界面之间的参数性能,对电感器
电子线路cad模拟软件pspice具有很强的功能,在电子线路设计中具有广阔的应用前景,但由于它对中高频下的电路复杂参数无法准确地描述,从而也就给高频电路的分析带来较在的困难。
关键词:电路模拟软件;pspice;频率电路;固有频率
探索片式电感的高频应用
引言
随着电子信息产业的迅猛发展,片式电感作为新型基础无源器件,以其良好的性能价格比和便于高密度贴装等显著优点,迅速得到了广泛应用,尤其在以移动手机为代表的通信终端设备中,片式电感获得了典型的高频应用。由于rf电路的工作频率不断提升,片式电感在应用方面的性能特点发生了明显变化,已经开始显现出低端微波频段的工作特性。因此,为有效提升片式电感的电性参数,改善rf电路性能,必须进一步分析其低频特性与高频特性的不同规律。
另一方面,不断推陈出新的通信系统(gsm、cdma、pcs、3g…)使得片式电感的工作频率逐步达到了2ghz甚至更高。因此,以传统的集中参数电路理论对片式电感器件进行阻抗分析,则显现出越来越明显的局限性。探索适合高频条件下的工程分析手段也已成为片式电感研发、生产、分析和应用的重要课题。
阻抗分析
电感的物理意义是利用导电线圈储存交变磁场能量,而在实际电路应用中,电感器件的主要作用则是向电路提供所需的感性阻抗,在与其他相关元件配合下完成相应的电路功能(匹配、滤波、振荡等)。常见的片式电感器件包括叠层片式、绕线片式、光刻薄膜等形式,其生产工艺和内电极结构均有所不同。但在中低频率条件下,由于信号波长远大于器件尺寸,器件的电路响应受内电极结构的影响较小,通常都可以采用集中参数等效模型(见图一)对片式电感的阻抗特性予以近似分析。据此可推导出常用电性能参数的函数式。
导纳函数
y(j )=({1}\over{r_{o}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})+j( c_{o}-{ l_{o}}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})
则阻抗函数
z(j )={1}\over{y(j )}=r( )+j ( )
可近似导出阻抗
z( )=\sqrt{r^{2}( )+ ^{2}( )}
={ l_{o}}\over\sqrt{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
电感量
l( )={ ( )}\over{ }={l_{o}(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({{ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
品质因素
q( )={ ( )}\over{r( )}={(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})}
其中
srf={1}\over{2 \sqrt{l_{o}c_{o}}}
=2 f
由这些函数表达式不难归纳出:
(1)在工作频率低于自谐频率srf时,片式电感的阻抗特性非常接近理想电感而呈现较好的线性特性,品质因素q也较高,因此通常以此确定电感的额定工作频段;
(2)在电感量l0为额定值时,提高自谐频率srf的唯一方法是减小寄生电容c0;
(3)在低频工作区,降低内电极电阻r将有效提升品质因素q值,而在高频工作区,减小电磁漏损(增大r0)对q值的提高则更为显著;
(4)当工作频率 高于自谐频率srf时,片式电感呈现出容性阻抗特性。
通常应用中,利用阻抗分析仪检测片式电感端电极间的z( )、l( )、q( )等参数,即可准确反映出工作频率下实际电路的响应特性,据此可进行准确的电路设计与器件选择。作为比较,图2中列出相同规格的高频电感(sghi1608h100n)与铁氧体电感(sgmi1608m100n)的l(f)、q(f)参数曲线,显然高频电感有更高的自谐频率和线性工作频段,而铁氧体电感则有较高的q值。
高频分析
当工作频率较高(2ghz左右)时,信号波长逐渐可以与器件尺寸相比拟。片式电感的阻抗呈现出明显的分布特性,即不同的参考位置存在不同阻抗。图1所示的分析模型已不适合用以描述高频工作的电感器件。在高频条件下,器件的电路响应可随其尺寸和空间结构的不同而发生相应变化,常规的阻抗测量参数已不能准确反映实际电路中的响应特性。以某型号移动手机rf功放电路为例,其中两款用于阻抗匹配的高频电感(工作频率1.9ghz)均采用光刻薄膜式电感,若以相同规格及精度,但q值明显较高的叠层片式电感(测量仪器hp-4291b)予以取代,其结果却是电路传输增益下降近10%。说明电路匹配状态下降,用低频分析方法显然无法准确解释高频应用问题,仅仅关注l( )和q( )对片式电感的高频分析是不适宜的,至少是不够的。
电磁场理论在工程中常用来分析具有分布特性的高频应用问题。通常在利用阻抗分析仪(hp-4291b)对片式电感进行的测量中,可通过夹具补偿和仪器校准等手段将测量精度提高到 0.1nh左右,理论上足以保证电路设计所需的精度要求。但不容忽视的问题是,此时的测量结果仅仅反映了匹配状态下(测量夹具设计为精确匹配)电感器件端电极界面之间的参数性能,对电感器
关键词:电路模拟软件;pspice;频率电路;固有频率
探索片式电感的高频应用
引言
随着电子信息产业的迅猛发展,片式电感作为新型基础无源器件,以其良好的性能价格比和便于高密度贴装等显著优点,迅速得到了广泛应用,尤其在以移动手机为代表的通信终端设备中,片式电感获得了典型的高频应用。由于rf电路的工作频率不断提升,片式电感在应用方面的性能特点发生了明显变化,已经开始显现出低端微波频段的工作特性。因此,为有效提升片式电感的电性参数,改善rf电路性能,必须进一步分析其低频特性与高频特性的不同规律。
另一方面,不断推陈出新的通信系统(gsm、cdma、pcs、3g…)使得片式电感的工作频率逐步达到了2ghz甚至更高。因此,以传统的集中参数电路理论对片式电感器件进行阻抗分析,则显现出越来越明显的局限性。探索适合高频条件下的工程分析手段也已成为片式电感研发、生产、分析和应用的重要课题。
阻抗分析
电感的物理意义是利用导电线圈储存交变磁场能量,而在实际电路应用中,电感器件的主要作用则是向电路提供所需的感性阻抗,在与其他相关元件配合下完成相应的电路功能(匹配、滤波、振荡等)。常见的片式电感器件包括叠层片式、绕线片式、光刻薄膜等形式,其生产工艺和内电极结构均有所不同。但在中低频率条件下,由于信号波长远大于器件尺寸,器件的电路响应受内电极结构的影响较小,通常都可以采用集中参数等效模型(见图一)对片式电感的阻抗特性予以近似分析。据此可推导出常用电性能参数的函数式。
导纳函数
y(j )=({1}\over{r_{o}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})+j( c_{o}-{ l_{o}}\over{r^{2}+ ^{2}l^{2}_{o}})
则阻抗函数
z(j )={1}\over{y(j )}=r( )+j ( )
可近似导出阻抗
z( )=\sqrt{r^{2}( )+ ^{2}( )}
={ l_{o}}\over\sqrt{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
电感量
l( )={ ( )}\over{ }={l_{o}(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({{ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})^{2}}
品质因素
q( )={ ( )}\over{r( )}={(1-{ ^{2}}\over{srf^{2}})}\over{({ l_{o}}\over{r_{o}}+{r}\over{ l_{o}})}
其中
srf={1}\over{2 \sqrt{l_{o}c_{o}}}
=2 f
由这些函数表达式不难归纳出:
(1)在工作频率低于自谐频率srf时,片式电感的阻抗特性非常接近理想电感而呈现较好的线性特性,品质因素q也较高,因此通常以此确定电感的额定工作频段;
(2)在电感量l0为额定值时,提高自谐频率srf的唯一方法是减小寄生电容c0;
(3)在低频工作区,降低内电极电阻r将有效提升品质因素q值,而在高频工作区,减小电磁漏损(增大r0)对q值的提高则更为显著;
(4)当工作频率 高于自谐频率srf时,片式电感呈现出容性阻抗特性。
通常应用中,利用阻抗分析仪检测片式电感端电极间的z( )、l( )、q( )等参数,即可准确反映出工作频率下实际电路的响应特性,据此可进行准确的电路设计与器件选择。作为比较,图2中列出相同规格的高频电感(sghi1608h100n)与铁氧体电感(sgmi1608m100n)的l(f)、q(f)参数曲线,显然高频电感有更高的自谐频率和线性工作频段,而铁氧体电感则有较高的q值。
高频分析
当工作频率较高(2ghz左右)时,信号波长逐渐可以与器件尺寸相比拟。片式电感的阻抗呈现出明显的分布特性,即不同的参考位置存在不同阻抗。图1所示的分析模型已不适合用以描述高频工作的电感器件。在高频条件下,器件的电路响应可随其尺寸和空间结构的不同而发生相应变化,常规的阻抗测量参数已不能准确反映实际电路中的响应特性。以某型号移动手机rf功放电路为例,其中两款用于阻抗匹配的高频电感(工作频率1.9ghz)均采用光刻薄膜式电感,若以相同规格及精度,但q值明显较高的叠层片式电感(测量仪器hp-4291b)予以取代,其结果却是电路传输增益下降近10%。说明电路匹配状态下降,用低频分析方法显然无法准确解释高频应用问题,仅仅关注l( )和q( )对片式电感的高频分析是不适宜的,至少是不够的。
电磁场理论在工程中常用来分析具有分布特性的高频应用问题。通常在利用阻抗分析仪(hp-4291b)对片式电感进行的测量中,可通过夹具补偿和仪器校准等手段将测量精度提高到 0.1nh左右,理论上足以保证电路设计所需的精度要求。但不容忽视的问题是,此时的测量结果仅仅反映了匹配状态下(测量夹具设计为精确匹配)电感器件端电极界面之间的参数性能,对电感器