国际整流器公司（international rectifier，简称ir）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36v至75v）及48v固定输入系统。

新芯片组专为隔离式或非隔离式dc-dc转换器应用而设计，可提升系统层面的电源性能，如220w以下系统主机板的大型48v转换，或用以驱动基站系统的无线电放大器。

ir2086s 控制器集成电路采用初级全桥布置，可简化隔离式dc-dc转换器电路。它特别针对总线转换器应用进行优化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。

ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。

新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。

设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。

由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。

irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标 优于同类方案45%。其导通电阻与两个传统元件的并联效果相当。在一些特定的输入输出电压比要求下，次级同步整流布置结构可采用ir 40v irf6613 directfet mosfet，较30v器件可提供33%的电压裕量，而效率则相差不到1％。

上述新器件现已投入供应。

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