安捷伦科技公司 (agilent technologies) 日前宣布，在其高线性度e-phemt (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) fets (场效应管) 产品系列中增加两款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行业标准表面封装的sot-89新产品。通过采用行业标准封装，安捷伦新推出的atf-52189和atf-53189及早先推出的atf-50189单电压e-phemt fet进一步简化了将50 mhz - 6 ghz基站升级到更高通道容量的工作。

安捷伦科技半导体产品事业部推出的atf-52189和atf-53189是为发射器的功放器和接收器的低噪声放大器而设计的，可以用于工作频率在450 mhz - 6 ghz的蜂窝和pcs基站、低地面轨道卫星系统、陆上多通道多点分布系统(mmdss)及其它通信应用领域。

atf-52189在2 ghz时，其三阶输出拦截点 (oip3) 为42 dbm，这成就了一个高效的放大器，能够处理大量的语音和数据通道。在2 ghz时，其它技术参数包括27 dbm的典型线性输出功率(p1db)、16 db的增益和55%的功率加效率(pae)以及1.5 db的噪声系数等。典型工作偏置在200 ma时为4.5 v。因此，特别适用于中等功率、高线性度的发射器驱动器或预驱动放大器。

atf-53189具有更低的噪声系数 (0.85 db) ，40 dbm的oip3, 23 dbm的p1db, 15.5 db的增益和46%的pae。典型工作偏置在135 ma时为4.0 v。这使其成为了接收器前端阶段低噪声、高线性度放大器的首选，也适用于中等功率、高线性度发射器驱动器或预驱动放大器。

atf-52189和atf-53189采用e-phemt工艺，具有杰出的性能一致性及300年以上的单点平均故障间隔时间 (mttf)。这些器件采用无引线封装，额定的潮湿灵敏度等级为1级(msl1)。

安捷伦一直是业内唯一一家提供单电压操作的e-phemt器件的厂商。由于其单电压操作、高效率和杰出的rf性能特点，安捷伦e-phemt器件成为了取代噪声系数更高的单电压hbt (异质结两极晶体管)及传统的双电压phemt和gaas hfet (异质结构fet)器件的必然选择。