瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:382
瑞萨科技公司(renesas technology corp.)近日宣布，rqg2003高性能的功率硅锗hbt实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线lan终端、数字无绳电话和rf(射频)标签读/写机等产品。
作为瑞萨科技目前hsg2002的后续产品，rqg2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线lan终端设备等rf前端功率进行放大。
rqg2003的功能总结如下：
业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品
在5ghz和2.4ghz频段，rqg2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。
(a)5ghz频段：6.4db的功率增益，26.5dbm条件下的1db增益压缩功率，5.8ghz条件下的功率增加效率为33.6%。
(b)2.4ghz频段：13.0db的功率增益，26.5dbm条件下1db的增益压缩功率，2.4ghz条件下的功率增加效率为66.0%。
这些性能参数是对瑞萨科技目前的hsg2002的显著改善，例如，5.8ghz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4ghz的功率增加效率大约提高了20%。
该性能有助于降低ieee802.11a兼容的无线lan设备、数字无绳电话等5ghz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4ghz频段的ieee802.11b/g兼容的无线lan设备、rf标签读/写机及其他2.4ghz频段应用的功耗。
小而薄的无铅封装
该器件采用小型表面贴装8引脚wqfn0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小rf前端传输部分的设计空间。
典型应用：
无线lan终端：2.4ghz/5ghz频段(符合ieee802.11a/b/g标准)
rf标签读/写机：2.4ghz
数字无绳电话：2.4ghz/5.8ghz。
rqg2003样品将于从2007年3月在日本开始供货，单价为105日元(仅供参考)。
产品背景>
无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4ghz频段的通信系统，尤其是ieee802.11指定的5ghz频段的应用类型正在不断增加，无线lan就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输，被认为是2.4ghz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线lan能力和物理分布系统的rf标签，而且，人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。
同时，北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求，例如，在型号方面就有对低发射功率的需求趋势，这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或mmic。与此同时，主要使用的频段正在从900mhz或2.4ghz频段转变为5.8ghz频段，这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8ghz频段产品的需求。因此，随着产品价格的不断下降，在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。
瑞萨科技早就瞄准了这个市场，开发了和批量生产了hsg系列硅锗功率晶体管和ha系列硅锗mmic。现在，为了满足市场的最新需求，瑞萨科技又发布了支持2.4ghz频段和5ghz频段的rqg2003高性能硅锗功率晶体管。
其他产品细节
rqg2003：rqg2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。
利用这种双沟道结构可以实现2.4ghz和5ghz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种sigec工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的hsg2002相比，集电极电流密度有所增加，1db增益压缩功率大约改善了1.5dbm。
完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，rqg2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了sn-bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。
瑞萨科技计划进一步扩展rqg系列硅锗功率晶体管的lna(低噪声放大器)rqg1xxx和pa(功率放大器)rqg2xxx阵容，并继续开发rql系列硅锗mmic的lna rql1xxx和pa rql2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。
作为瑞萨科技目前hsg2002的后续产品，rqg2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线lan终端设备等rf前端功率进行放大。
rqg2003的功能总结如下：
业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品
在5ghz和2.4ghz频段，rqg2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。
(a)5ghz频段：6.4db的功率增益，26.5dbm条件下的1db增益压缩功率，5.8ghz条件下的功率增加效率为33.6%。
(b)2.4ghz频段：13.0db的功率增益，26.5dbm条件下1db的增益压缩功率，2.4ghz条件下的功率增加效率为66.0%。
这些性能参数是对瑞萨科技目前的hsg2002的显著改善，例如，5.8ghz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4ghz的功率增加效率大约提高了20%。
该性能有助于降低ieee802.11a兼容的无线lan设备、数字无绳电话等5ghz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4ghz频段的ieee802.11b/g兼容的无线lan设备、rf标签读/写机及其他2.4ghz频段应用的功耗。
小而薄的无铅封装
该器件采用小型表面贴装8引脚wqfn0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小rf前端传输部分的设计空间。
典型应用：
无线lan终端：2.4ghz/5ghz频段(符合ieee802.11a/b/g标准)
rf标签读/写机：2.4ghz
数字无绳电话：2.4ghz/5.8ghz。
rqg2003样品将于从2007年3月在日本开始供货，单价为105日元(仅供参考)。
产品背景>
无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4ghz频段的通信系统，尤其是ieee802.11指定的5ghz频段的应用类型正在不断增加，无线lan就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输，被认为是2.4ghz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线lan能力和物理分布系统的rf标签，而且，人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。
同时，北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求，例如，在型号方面就有对低发射功率的需求趋势，这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或mmic。与此同时，主要使用的频段正在从900mhz或2.4ghz频段转变为5.8ghz频段，这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8ghz频段产品的需求。因此，随着产品价格的不断下降，在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。
瑞萨科技早就瞄准了这个市场，开发了和批量生产了hsg系列硅锗功率晶体管和ha系列硅锗mmic。现在，为了满足市场的最新需求，瑞萨科技又发布了支持2.4ghz频段和5ghz频段的rqg2003高性能硅锗功率晶体管。
其他产品细节
rqg2003：rqg2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。
利用这种双沟道结构可以实现2.4ghz和5ghz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种sigec工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的hsg2002相比，集电极电流密度有所增加，1db增益压缩功率大约改善了1.5dbm。
完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，rqg2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了sn-bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。
瑞萨科技计划进一步扩展rqg系列硅锗功率晶体管的lna(低噪声放大器)rqg1xxx和pa(功率放大器)rqg2xxx阵容，并继续开发rql系列硅锗mmic的lna rql1xxx和pa rql2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。
瑞萨科技公司(renesas technology corp.)近日宣布，rqg2003高性能的功率硅锗hbt实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线lan终端、数字无绳电话和rf(射频)标签读/写机等产品。
作为瑞萨科技目前hsg2002的后续产品，rqg2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线lan终端设备等rf前端功率进行放大。
rqg2003的功能总结如下：
业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品
在5ghz和2.4ghz频段，rqg2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。
(a)5ghz频段：6.4db的功率增益，26.5dbm条件下的1db增益压缩功率，5.8ghz条件下的功率增加效率为33.6%。
(b)2.4ghz频段：13.0db的功率增益，26.5dbm条件下1db的增益压缩功率，2.4ghz条件下的功率增加效率为66.0%。
这些性能参数是对瑞萨科技目前的hsg2002的显著改善，例如，5.8ghz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4ghz的功率增加效率大约提高了20%。
该性能有助于降低ieee802.11a兼容的无线lan设备、数字无绳电话等5ghz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4ghz频段的ieee802.11b/g兼容的无线lan设备、rf标签读/写机及其他2.4ghz频段应用的功耗。
小而薄的无铅封装
该器件采用小型表面贴装8引脚wqfn0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小rf前端传输部分的设计空间。
典型应用：
无线lan终端：2.4ghz/5ghz频段(符合ieee802.11a/b/g标准)
rf标签读/写机：2.4ghz
数字无绳电话：2.4ghz/5.8ghz。
rqg2003样品将于从2007年3月在日本开始供货，单价为105日元(仅供参考)。
产品背景>
无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4ghz频段的通信系统，尤其是ieee802.11指定的5ghz频段的应用类型正在不断增加，无线lan就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输，被认为是2.4ghz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线lan能力和物理分布系统的rf标签，而且，人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。
同时，北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求，例如，在型号方面就有对低发射功率的需求趋势，这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或mmic。与此同时，主要使用的频段正在从900mhz或2.4ghz频段转变为5.8ghz频段，这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8ghz频段产品的需求。因此，随着产品价格的不断下降，在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。
瑞萨科技早就瞄准了这个市场，开发了和批量生产了hsg系列硅锗功率晶体管和ha系列硅锗mmic。现在，为了满足市场的最新需求，瑞萨科技又发布了支持2.4ghz频段和5ghz频段的rqg2003高性能硅锗功率晶体管。
其他产品细节
rqg2003：rqg2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。
利用这种双沟道结构可以实现2.4ghz和5ghz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种sigec工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的hsg2002相比，集电极电流密度有所增加，1db增益压缩功率大约改善了1.5dbm。
完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，rqg2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了sn-bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。
瑞萨科技计划进一步扩展rqg系列硅锗功率晶体管的lna(低噪声放大器)rqg1xxx和pa(功率放大器)rqg2xxx阵容，并继续开发rql系列硅锗mmic的lna rql1xxx和pa rql2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。
作为瑞萨科技目前hsg2002的后续产品，rqg2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线lan终端设备等rf前端功率进行放大。
rqg2003的功能总结如下：
业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品
在5ghz和2.4ghz频段，rqg2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。
(a)5ghz频段：6.4db的功率增益，26.5dbm条件下的1db增益压缩功率，5.8ghz条件下的功率增加效率为33.6%。
(b)2.4ghz频段：13.0db的功率增益，26.5dbm条件下1db的增益压缩功率，2.4ghz条件下的功率增加效率为66.0%。
这些性能参数是对瑞萨科技目前的hsg2002的显著改善，例如，5.8ghz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4ghz的功率增加效率大约提高了20%。
该性能有助于降低ieee802.11a兼容的无线lan设备、数字无绳电话等5ghz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4ghz频段的ieee802.11b/g兼容的无线lan设备、rf标签读/写机及其他2.4ghz频段应用的功耗。
小而薄的无铅封装
该器件采用小型表面贴装8引脚wqfn0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小rf前端传输部分的设计空间。
典型应用：
无线lan终端：2.4ghz/5ghz频段(符合ieee802.11a/b/g标准)
rf标签读/写机：2.4ghz
数字无绳电话：2.4ghz/5.8ghz。
rqg2003样品将于从2007年3月在日本开始供货，单价为105日元(仅供参考)。
产品背景>
无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4ghz频段的通信系统，尤其是ieee802.11指定的5ghz频段的应用类型正在不断增加，无线lan就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输，被认为是2.4ghz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线lan能力和物理分布系统的rf标签，而且，人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。
同时，北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求，例如，在型号方面就有对低发射功率的需求趋势，这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或mmic。与此同时，主要使用的频段正在从900mhz或2.4ghz频段转变为5.8ghz频段，这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8ghz频段产品的需求。因此，随着产品价格的不断下降，在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。
瑞萨科技早就瞄准了这个市场，开发了和批量生产了hsg系列硅锗功率晶体管和ha系列硅锗mmic。现在，为了满足市场的最新需求，瑞萨科技又发布了支持2.4ghz频段和5ghz频段的rqg2003高性能硅锗功率晶体管。
其他产品细节
rqg2003：rqg2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。
利用这种双沟道结构可以实现2.4ghz和5ghz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种sigec工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的hsg2002相比，集电极电流密度有所增加，1db增益压缩功率大约改善了1.5dbm。
完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，rqg2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了sn-bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。
瑞萨科技计划进一步扩展rqg系列硅锗功率晶体管的lna(低噪声放大器)rqg1xxx和pa(功率放大器)rqg2xxx阵容，并继续开发rql系列硅锗mmic的lna rql1xxx和pa rql2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。
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