提高稳压器过流保护能力的 MOSFET
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:339
经典的 lm317型可调输出线性稳压器具有相当大的电流承受能力。此外,lm317还具有限流和过热保护功能。你只需用少量元件增加一个高速短路限流电路,就可提高lm317型 稳压器的性能(图1)。在正常工作状态下,电阻器 r2和r3将vgs偏压加到irf4905s型功率 mosfet q1上,q1完全导通,呈现数毫欧的导通电阻。电流采样电阻器r1两端的电压降与ic1的输入电流成正比,并为双极晶体管q2提供基极驱动。
当负载电流增加时,r1两端的电压随之升高,从而使q2导通,并使q1的栅极偏压下降。当q1栅极偏压下降时,q1的导通电阻增加,并按imax=vbeq2/r1,即约为0.6v/1ω来限制流入ic1的电流。
正如 lm317的应用指南说明所说,电阻器r5和r6设定ic1的输出电压。改变r1的阻值,就可以将电路的限制电流从数毫安调至 lm317 的最大承受电流。二极管d1和d2分别可预防电容性负载放电和极性接反。根据电路的要求,ic1和q1可能需要使用散热器。
经典的 lm317型可调输出线性稳压器具有相当大的电流承受能力。此外,lm317还具有限流和过热保护功能。你只需用少量元件增加一个高速短路限流电路,就可提高lm317型 稳压器的性能(图1)。在正常工作状态下,电阻器 r2和r3将vgs偏压加到irf4905s型功率 mosfet q1上,q1完全导通,呈现数毫欧的导通电阻。电流采样电阻器r1两端的电压降与ic1的输入电流成正比,并为双极晶体管q2提供基极驱动。
当负载电流增加时,r1两端的电压随之升高,从而使q2导通,并使q1的栅极偏压下降。当q1栅极偏压下降时,q1的导通电阻增加,并按imax=vbeq2/r1,即约为0.6v/1ω来限制流入ic1的电流。
正如 lm317的应用指南说明所说,电阻器r5和r6设定ic1的输出电压。改变r1的阻值,就可以将电路的限制电流从数毫安调至 lm317 的最大承受电流。二极管d1和d2分别可预防电容性负载放电和极性接反。根据电路的要求,ic1和q1可能需要使用散热器。
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