更简单的电池自动关断电路
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:352
我们曾在《设计实例》中阐述的一种简单方法,可以在一个预定的时间后自动关断电池,以延长电池寿命(参考文献1)。本《设计实例》介绍一种更简单的能完成相同功能的方法(图 1)。四重双输入nand施密特触发器ic1的两个门组成一个改进的触发器。当电路加上9v电池电压时,ic1a的输出变为高电平,因为c1上的初始电压为零。ic1b的输出变为低电平,并通过r2反馈到ic1a。c3通过r3充电。ic1c的输出变为高电平,因为r6接地。p沟道mosfet开关q1关断,ic1d输出变为高电平,并通过r2给c4充电。
当按下瞬动开关s1时,由于ic1a的两个输入端均为高电平,其输出就变为低电平,从而迫使ic1b的输出变为高电平。r2的阻值比r3小得多,因此当s1维持导通状态时,c3保持高逻辑电平。当s1关断时,c3通过r3放电。
mosfet 开关可以用两种方法来关断。当钽电容c2充电充到 ic1c的输入端电压低于其阈值 v- 时,ic1c的输出从低电平变为高电平;这一电平变化使 mosfet 开关关断。c2 和r6决定这种自动关断的持续时间。如果c2 的电容值和r6的阻值如图所示,则关断大约需要6分钟。同时,ic1d输出从高至低的变化可通过c4迫使ic1a和ic1b回到待机状态。
另一种方法是,按下s1,关断mosfet开关。因为c3上的电压很低,所以s1的闭合使ic1a的输出变为高电平,而ic1b的输出变为低电平。ic1b输出由高至低的变化迫使ic1c的输出变为高电平,从而使 mosfet 关断。由于c2的电容值相当大,所以用d1来提供一条快速放电通路,并用r4限制放电电流。
这个电路在待机状态下消耗不到0.2ma 的电流。 mosfet 开关的导通电阻很小,所以在负载电流为100 ma 时,该开关只降低2 mv 电压。如果需要一个通电指示灯,可以在负载一侧串接一个限流电阻的情况下增加一只 led。
我们曾在《设计实例》中阐述的一种简单方法,可以在一个预定的时间后自动关断电池,以延长电池寿命(参考文献1)。本《设计实例》介绍一种更简单的能完成相同功能的方法(图 1)。四重双输入nand施密特触发器ic1的两个门组成一个改进的触发器。当电路加上9v电池电压时,ic1a的输出变为高电平,因为c1上的初始电压为零。ic1b的输出变为低电平,并通过r2反馈到ic1a。c3通过r3充电。ic1c的输出变为高电平,因为r6接地。p沟道mosfet开关q1关断,ic1d输出变为高电平,并通过r2给c4充电。
当按下瞬动开关s1时,由于ic1a的两个输入端均为高电平,其输出就变为低电平,从而迫使ic1b的输出变为高电平。r2的阻值比r3小得多,因此当s1维持导通状态时,c3保持高逻辑电平。当s1关断时,c3通过r3放电。
mosfet 开关可以用两种方法来关断。当钽电容c2充电充到 ic1c的输入端电压低于其阈值 v- 时,ic1c的输出从低电平变为高电平;这一电平变化使 mosfet 开关关断。c2 和r6决定这种自动关断的持续时间。如果c2 的电容值和r6的阻值如图所示,则关断大约需要6分钟。同时,ic1d输出从高至低的变化可通过c4迫使ic1a和ic1b回到待机状态。
另一种方法是,按下s1,关断mosfet开关。因为c3上的电压很低,所以s1的闭合使ic1a的输出变为高电平,而ic1b的输出变为低电平。ic1b输出由高至低的变化迫使ic1c的输出变为高电平,从而使 mosfet 关断。由于c2的电容值相当大,所以用d1来提供一条快速放电通路,并用r4限制放电电流。
这个电路在待机状态下消耗不到0.2ma 的电流。 mosfet 开关的导通电阻很小,所以在负载电流为100 ma 时,该开关只降低2 mv 电压。如果需要一个通电指示灯,可以在负载一侧串接一个限流电阻的情况下增加一只 led。