ST推出专用于焊接设备的混合双极晶体管
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:305
意法半导体(st)推出混合发射极开关双极晶体管(esbt)——ste50de100。该器件专门设计用于焊接设备,包括加热系统和音频放大器的功率因素修正。
ste50de100晶体管能承受1000v的集电极-源极电压与50a的集电极电流,有助于将导通损耗降低至与其它双极元件相同的水平,而在高达150khz的高速开关时有与mosfet同样的良好性能。此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,此款晶体管提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑中。
ste50de100采用isotop封装,25℃时能经受160w的总功耗。其最大工作温度为150℃,绝缘电压为2,500vac-rms。1,000片订购时,单价为20美元(仅供参考)。
ste50de100晶体管能承受1000v的集电极-源极电压与50a的集电极电流,有助于将导通损耗降低至与其它双极元件相同的水平,而在高达150khz的高速开关时有与mosfet同样的良好性能。此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,此款晶体管提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑中。
ste50de100采用isotop封装,25℃时能经受160w的总功耗。其最大工作温度为150℃,绝缘电压为2,500vac-rms。1,000片订购时,单价为20美元(仅供参考)。
意法半导体(st)推出混合发射极开关双极晶体管(esbt)——ste50de100。该器件专门设计用于焊接设备,包括加热系统和音频放大器的功率因素修正。
ste50de100晶体管能承受1000v的集电极-源极电压与50a的集电极电流,有助于将导通损耗降低至与其它双极元件相同的水平,而在高达150khz的高速开关时有与mosfet同样的良好性能。此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,此款晶体管提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑中。
ste50de100采用isotop封装,25℃时能经受160w的总功耗。其最大工作温度为150℃,绝缘电压为2,500vac-rms。1,000片订购时,单价为20美元(仅供参考)。
ste50de100晶体管能承受1000v的集电极-源极电压与50a的集电极电流,有助于将导通损耗降低至与其它双极元件相同的水平,而在高达150khz的高速开关时有与mosfet同样的良好性能。此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,此款晶体管提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑中。
ste50de100采用isotop封装,25℃时能经受160w的总功耗。其最大工作温度为150℃,绝缘电压为2,500vac-rms。1,000片订购时,单价为20美元(仅供参考)。