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飞兆推出最小尺寸MOSFET器件,持续电流突破1A

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:319

  飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出最小尺寸的互补对称mosfet器件——fdc6020c,为微型“点”功率应用和负载点(pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。该器件将两个mosfet集成在一个超小型的supersot-6 flmp封装(倒装导模封装)中。

   fdc6020c具有良好的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(vgs = 2.5v)可简化采用3.3v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,使用fdc6020c则无需设计充电泵电路。此外,该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性(在4.5v时, p沟道为52mω,n沟道为27mω)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗(1℃/w)及结点至周边环境热阻抗(68℃/w)有助于达到最高电流密度,并同时维持最佳工作温度。

  fdc6020c采用supersot-6 flmp封装,其面积仅为9mm2,最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接,不但提供低电阻抗,而且可以维持所需的关键性机械公差特性,使到晶片反面和封装反面共面。这种共面结构在pcb和mosfet晶片(漏极连接)之间提供低热阻抗通路。

  这种无铅产品能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020d标准要求,并符合生效的欧盟标准。fdc6020器件有现货供应,订购1, 000个时每个0.76美元(仅供参考)。交货期为收到订单后8周内。

  飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出最小尺寸的互补对称mosfet器件——fdc6020c,为微型“点”功率应用和负载点(pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。该器件将两个mosfet集成在一个超小型的supersot-6 flmp封装(倒装导模封装)中。

   fdc6020c具有良好的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(vgs = 2.5v)可简化采用3.3v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,使用fdc6020c则无需设计充电泵电路。此外,该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性(在4.5v时, p沟道为52mω,n沟道为27mω)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗(1℃/w)及结点至周边环境热阻抗(68℃/w)有助于达到最高电流密度,并同时维持最佳工作温度。

  fdc6020c采用supersot-6 flmp封装,其面积仅为9mm2,最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接,不但提供低电阻抗,而且可以维持所需的关键性机械公差特性,使到晶片反面和封装反面共面。这种共面结构在pcb和mosfet晶片(漏极连接)之间提供低热阻抗通路。

  这种无铅产品能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020d标准要求,并符合生效的欧盟标准。fdc6020器件有现货供应,订购1, 000个时每个0.76美元(仅供参考)。交货期为收到订单后8周内。

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