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爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:249

  日本精工爱普生公司(seikoepson)推出世界上首款tft-sram(16kb),它的电源电压为3v至6v,访问时间短,它在柔性基底上集成了感应放大器,每个单元包括六个晶体管,它可用作该公司异步8位微处理器act11的存储器。

  为了开发这款tft-sram,爱普生将该存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上,这样可使tft-sram在低电压下高速运行。

  该公司一直致力于开发小型节能电子器件,现在开始注重薄而轻的柔性器件开发,新近开发的低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和suftla,可将tft电路从玻璃基底转换到柔性基底上。

  爱普森希望该tft-sram将被用作小而轻电子器件的关键元件。



  日本精工爱普生公司(seikoepson)推出世界上首款tft-sram(16kb),它的电源电压为3v至6v,访问时间短,它在柔性基底上集成了感应放大器,每个单元包括六个晶体管,它可用作该公司异步8位微处理器act11的存储器。

  为了开发这款tft-sram,爱普生将该存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上,这样可使tft-sram在低电压下高速运行。

  该公司一直致力于开发小型节能电子器件,现在开始注重薄而轻的柔性器件开发,新近开发的低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和suftla,可将tft电路从玻璃基底转换到柔性基底上。

  爱普森希望该tft-sram将被用作小而轻电子器件的关键元件。



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