IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:383
国际整流器公司(internationalrectifier,简称为ir)近日推出一款新型60vdirectfet功率mosfet-irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0mω(vgs=10v),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。
单个采用so-8封装的irf6648,其性能与两个并联的同类增强型so-8器件相似。irf6648适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72w增加15%。
ir中国及香港销售总监严国富指出:“我们扩展了中压directfetmosfet产品系列,这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。irf6648是一种多功能器件,可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有源oring系统。”
ir的directfetmosfet封装已获得专利,它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能,使降压转换器的电流处理能力增加了一倍。另外,directfet封装的器件均符合电子产品有害物质限制指令(rohs)的要求。
irf6648directfetmosfet现已供货。以1万件订货量计算,单价为1.29美元,价格可能会有变动。ir还提供部分设计工具和应用指南。
国际整流器公司(internationalrectifier,简称为ir)近日推出一款新型60vdirectfet功率mosfet-irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0mω(vgs=10v),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。
单个采用so-8封装的irf6648,其性能与两个并联的同类增强型so-8器件相似。irf6648适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72w增加15%。
ir中国及香港销售总监严国富指出:“我们扩展了中压directfetmosfet产品系列,这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。irf6648是一种多功能器件,可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有源oring系统。”
ir的directfetmosfet封装已获得专利,它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能,使降压转换器的电流处理能力增加了一倍。另外,directfet封装的器件均符合电子产品有害物质限制指令(rohs)的要求。
irf6648directfetmosfet现已供货。以1万件订货量计算,单价为1.29美元,价格可能会有变动。ir还提供部分设计工具和应用指南。