际整流器公司 (international rectifier，简称ir) 与英飞凌科技股份有限公司 (infineon technologies) 共同宣布，后者将获授权使用ir的directfet先进功率管理封装专利技术。

　　directfet 功率封装是业界首个在so-8或更小占位面积，提供高效上部散热的表面贴装功率mosfet封装技术，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的ac-dc及dc-dc功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，directfet的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频dc-dc降压式转换器的电流处理能力增加一倍。

　　英飞凌将把directfet功率封装技术应用于旗下的optimos 2和optimos 3芯片技术，预计在2008年初开始提供directfet封装的optimos 2样品。

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　　sp; ir企业功率业务部副总裁tim phillips表示：“由于采用了独特的双面散热设计，ir的directfet封装技术可以降低能量损耗，减小设计占位面积，是先进计算、消费及通信应用首选的解决方案。”

　　他还表示：“我们不断为节省能源开发尖端技术，并通过授权协议扩大 directfet类创新技术在节能方面的影响力，进一步扩展我们在功率管理市场最主要领域的业务。”

　　英飞凌科技功率管理及驱动器业务部高级副总裁兼总经理arunjai mittal表示：“根据这项协议，英飞凌将继续扩充旗下的功率半导体产品系列。把我们成功的optimos芯片技术与不同封装规格相结合，以适应广泛的应用，使电源|稳压器设计师可以为特定应用采用节能的、有成本效益的解决方案。optimos 2和optimos 3器件本身具有卓越的特性，现在加上具有双面散热能力的封装，将进一步巩固英飞凌在功率转换市场的地位。”