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凌力尔特推出电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:313

  凌力尔特公司 (linear technology corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100v) 同步 mosfet 驱动器 ltc4444,该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 n 沟道 mosfet。这个驱动器可与功率 mosfet 以及凌力尔特公司的很多 dc/dc 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。

  这个强大的驱动器可采用 1.2ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5a 的电流以驱动高端 mosfet,而采用 0.55ω 下拉阻抗可提供 3a 电流以驱动低端 mosfet,非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4444 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动 1000pf 负载时,高端 mosfet 的 8ns 快速上升时间、5ns 下降时间和低端 mosfet 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护,以最大限度地缩短死区时间,同时防止高端和低端的 mosfet 同时导通。

  ltc4444 为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源,这可能在比地高 114v 时正常工作。另外,这个器件在 7.2v 至 13.5v 的范围内驱动高端和低端的 mosfet 栅极。

  ltc4444ems8 和 ltc4444ims8 都采用耐热增强型 msop-8 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.69 美元。

性能概要:ltc4444

• 高速/高压同步 n 沟道 mosfet 驱动器

• 100v 最大电源电压

• 高驱动电流:提供 3a 电流,采用 0.55ω 吸收电流

• 7.2v 至 13.5v 的栅极驱动电压

• 自适应贯通保护

• 驱动 1000pf 负载时,高端栅极 8ns 上升时间和 5ns 下降时间

• 驱动 1000pf 负载时,低端栅极 6ns 上升时间和 3ns 下降时间

• 欠压闭锁用于提供栅极驱动电压

• 耐热增强型 msop-8 封装



  凌力尔特公司 (linear technology corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100v) 同步 mosfet 驱动器 ltc4444,该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 n 沟道 mosfet。这个驱动器可与功率 mosfet 以及凌力尔特公司的很多 dc/dc 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。

  这个强大的驱动器可采用 1.2ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5a 的电流以驱动高端 mosfet,而采用 0.55ω 下拉阻抗可提供 3a 电流以驱动低端 mosfet,非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4444 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动 1000pf 负载时,高端 mosfet 的 8ns 快速上升时间、5ns 下降时间和低端 mosfet 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护,以最大限度地缩短死区时间,同时防止高端和低端的 mosfet 同时导通。

  ltc4444 为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源,这可能在比地高 114v 时正常工作。另外,这个器件在 7.2v 至 13.5v 的范围内驱动高端和低端的 mosfet 栅极。

  ltc4444ems8 和 ltc4444ims8 都采用耐热增强型 msop-8 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.69 美元。

性能概要:ltc4444

• 高速/高压同步 n 沟道 mosfet 驱动器

• 100v 最大电源电压

• 高驱动电流:提供 3a 电流,采用 0.55ω 吸收电流

• 7.2v 至 13.5v 的栅极驱动电压

• 自适应贯通保护

• 驱动 1000pf 负载时,高端栅极 8ns 上升时间和 5ns 下降时间

• 驱动 1000pf 负载时,低端栅极 6ns 上升时间和 3ns 下降时间

• 欠压闭锁用于提供栅极驱动电压

• 耐热增强型 msop-8 封装



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