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Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:336

  zetex近日推出一系列新型200v额定p沟道mosfet器件。新器件采用节省空间的sot23和sot223封装,极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的dpak和so8封装。

  两款率先问世的微型器件包括5引脚sot23型的zxmp2120e5和4引脚sot223型的zxmp2120g4。为了阻止高压漏电的发生,zetex特别加大了这两种封装的引脚间距。此外,在新型mosfet的制造过程中,zetex采用了低栅电容p沟道工艺,有效减少了切换瞬间的响声,实现了极低的噪声性能。

  由于p沟道比n沟道电路更容易实现,因此zxmp2120mosfet有助于设计人员为用于电信及服务器应用的体积更小的48vdc-dc正激转换器,开发成本更低的有源箝位电路。




  zetex近日推出一系列新型200v额定p沟道mosfet器件。新器件采用节省空间的sot23和sot223封装,极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的dpak和so8封装。

  两款率先问世的微型器件包括5引脚sot23型的zxmp2120e5和4引脚sot223型的zxmp2120g4。为了阻止高压漏电的发生,zetex特别加大了这两种封装的引脚间距。此外,在新型mosfet的制造过程中,zetex采用了低栅电容p沟道工艺,有效减少了切换瞬间的响声,实现了极低的噪声性能。

  由于p沟道比n沟道电路更容易实现,因此zxmp2120mosfet有助于设计人员为用于电信及服务器应用的体积更小的48vdc-dc正激转换器,开发成本更低的有源箝位电路。




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