据介绍，通过powertrenchmosfet技术，高端“控制”mosfet(fds6298)和低端“同步”mosfet(fds6299s)构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大电流密度和更高效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet技术无须使用外部肖特基二极管，节省了电路板空间和装配成本。

　　该集成芯片组的米勒电荷(miller)qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的qgd/qgs比，限制了交叉导通(cross-conduction)损耗的可能性。除vcore设计之外，快速开关fds6298和低导通阻抗rds(on)fds6299s提供了配对使用的好处，适用于高端通信设备等应用的大电流负载点(pol)转换器。

　　fds6298(高端)mosfet的主要性能特性包括：低总qg(9nc@vgs=4.5v)和qgd(3nc@vgs=4.5v)，并具有快速开关速度，能提高效率；优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；规范的rg和100%的rg测试实现优良的漏源开关特性。

　　fds6299s(低端)mosfet的主要性能特性包括：低导通阻抗rds(on)以减小dc损耗；低体二极管损耗(低qrr和低前向电压降)以提高效率；软恢复特性减少噪声，低crss减小了交叉传导的可能性；低总qg(31nc@vgs=5v)降低了栅级驱动要求。

　　飞兆半导体计算解决方案市务经理davidgrey称：“在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，并且是改善电磁兼容性或emi的指标。我们的技术减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，该芯片组利用了配对的集成式syncfet器件达到减少组件数量的目的。”

　　该芯片组产品均采用无铅so-8封装，能达到甚至超过ipc/jedec的j-std-020b标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。目前此芯片组已发货，订购1,000个情况下，fds6298单价为0.62美元，fds6299s单价为1.18美元(以上仅供参考)。交货期在收到订单后12周内。