Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:248
vishay intertechnology公司宣布推出2款功率mosfet——sie802df和sie800df,其热阻均为1℃/w,封装的两面均可散热,主要用于电脑使用的dc-dc转换器等产品。
其中,sie802df用于同步整流式dc-dc转换器的低压端,其导通电阻低,在+10v的栅电压下为1.9mω,在+4.5v栅电压下为2.6mω,最大工作电流为60a;sie800df用于高压端,栅电荷为12nc。从导通来说,sie800df在+10v的栅电压下为7.2 mω,在+4.5v下为11.5 mω,源-漏极之间的耐压均为30v。
这两款产品均采用vishay公司的“polarpak”封装,封装尺寸为5mm×6mm,与普通的so-8封装相同。据介绍,polarpak在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至so-8的2倍。此外,该公司已向意法半导体(st)公司提供polarpak技术授权。
其中,sie802df用于同步整流式dc-dc转换器的低压端,其导通电阻低,在+10v的栅电压下为1.9mω,在+4.5v栅电压下为2.6mω,最大工作电流为60a;sie800df用于高压端,栅电荷为12nc。从导通来说,sie800df在+10v的栅电压下为7.2 mω,在+4.5v下为11.5 mω,源-漏极之间的耐压均为30v。
这两款产品均采用vishay公司的“polarpak”封装,封装尺寸为5mm×6mm,与普通的so-8封装相同。据介绍,polarpak在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至so-8的2倍。此外,该公司已向意法半导体(st)公司提供polarpak技术授权。
vishay intertechnology公司宣布推出2款功率mosfet——sie802df和sie800df,其热阻均为1℃/w,封装的两面均可散热,主要用于电脑使用的dc-dc转换器等产品。
其中,sie802df用于同步整流式dc-dc转换器的低压端,其导通电阻低,在+10v的栅电压下为1.9mω,在+4.5v栅电压下为2.6mω,最大工作电流为60a;sie800df用于高压端,栅电荷为12nc。从导通来说,sie800df在+10v的栅电压下为7.2 mω,在+4.5v下为11.5 mω,源-漏极之间的耐压均为30v。
这两款产品均采用vishay公司的“polarpak”封装,封装尺寸为5mm×6mm,与普通的so-8封装相同。据介绍,polarpak在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至so-8的2倍。此外,该公司已向意法半导体(st)公司提供polarpak技术授权。
其中,sie802df用于同步整流式dc-dc转换器的低压端,其导通电阻低,在+10v的栅电压下为1.9mω,在+4.5v栅电压下为2.6mω,最大工作电流为60a;sie800df用于高压端,栅电荷为12nc。从导通来说,sie800df在+10v的栅电压下为7.2 mω,在+4.5v下为11.5 mω,源-漏极之间的耐压均为30v。
这两款产品均采用vishay公司的“polarpak”封装,封装尺寸为5mm×6mm,与普通的so-8封装相同。据介绍,polarpak在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至so-8的2倍。此外,该公司已向意法半导体(st)公司提供polarpak技术授权。