高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:447
infineon科技于公布名为b7hfc的sige bicmos工艺技术，该工艺制作了10ghz的锁相环回路（pll）。这种10ghz的sige bicmos pll设立了高速低功耗和集成的射频（rf）ic的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种pll与传统的si bicmos设计相比可将电流缩减50%从而提高射频性能。现在，采用b7hfc技术，制造商可制造高度集成的低功耗rf接收机，从而为便携式设备赢得了更长的通话时间和待机时间。
infineon科技于公布名为b7hfc的sige bicmos工艺技术，该工艺制作了10ghz的锁相环回路（pll）。这种10ghz的sige bicmos pll设立了高速低功耗和集成的射频（rf）ic的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种pll与传统的si bicmos设计相比可将电流缩减50%从而提高射频性能。现在，采用b7hfc技术，制造商可制造高度集成的低功耗rf接收机，从而为便携式设备赢得了更长的通话时间和待机时间。
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