最近主要的半导体制造商承认：研发和生产先进的ic芯片非常需要晶圆级的射频(rf)测试。在一定程度上，这公然与2003年itrs技术工作组对于建模与仿真的建议不符，该建议表明:"对于rf精简模型的参数提取，更应该尽力压缩rf测试。 如果需要，应该通过支持仿真的标准i-v和c-v测试来提取这些参数。"

问题之一是对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准i-v和c-v测试不能直接提取氧化层电容(cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，rf电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。

减少使用rf技术的建议是在以下特定的假设下提出来： 假设rf技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。

但是，现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取rf参数，几乎和dc测试一样容易。最重要的是，通过自动校准、去除处理（de-embedding）以及根据待测器件（dut）特性进行参数提取，探针接触特性的自动调整，已经能够实现rf的完整测试。这方面的发展使得不必需要rf专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室，根据中间测试结果或者操作需要，自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内，已经有7家半导体公司验证了这种用于晶圆rf生产测试的系统。