鼎芯TD-SCDMA手机射频/模拟基带套片CL4020+CL4520
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:565
基于鼎芯该芯片套片的设计先进性和功能表现优异,达到了世界半导体cmos rf工业设计的最好性能,代表中国的cmos td-scdma射频芯片达到世界一流水平。
该两款芯片搭载先进的cmos技术平台,完全针对中国3g td-scdma 标准设计,均为48-pinqfn封装,尺寸7mm x 7mm。cl4020发射通道evm小于4%(td标准要求17%),锁相环相位积分噪声(1khz-640khz)达到0.85度,整个接收通道的噪声系数小于4db, 整体性能指标满足3gpp td-scdma 系统要求并达到世界一流水平。cl4520有着低成本、高动态范围、精确的直流偏置消除,以及精确的数字增益控制等优点。
cl4020的独特优势包括:
低成本:
-采用先进的cmos工艺,芯片制造费用低;
-芯片面积小;
-高集成度,集成了低通滤波器和∑-δ小数分频锁相环,外围器件少,总价低;
-支持与基带芯片进一步集成, 实现超低成本的soc。
低功耗:
-零中频架构,电路简单,耗电模块少;
-先进的深亚微米工艺,供应电压低;
-接入电流仅为90ma,在国内同业中实现最低功耗。
设计先进:
-采取数字检测与环路抵消等诸多技术手段,克服设计难点;
-大量采用数字信号控制前端射频,简化模拟电路设计,优化芯片功能表现。
中国专用:
-完全覆盖中国的td-scdma双频段(1880mhz-1920mhz;2010mhz-2025mhz);
-与国内所有的基带芯片接口匹配;
-支持单载波hsdpa,接收和发射evm指标均已实现,将在2007年实现hsdpa功能演示。
cl4520具有以下特征及优势:
成本低:
-自动频率控制数模转换;
-高动态范围的∑-△模数转换;
-发射采用精确步进的数字增益控制;
-支持多个参考时钟: 13mhz/26mhz/19.2mhz;
-双向的三线接口。
该两款芯片搭载先进的cmos技术平台,完全针对中国3g td-scdma 标准设计,均为48-pinqfn封装,尺寸7mm x 7mm。cl4020发射通道evm小于4%(td标准要求17%),锁相环相位积分噪声(1khz-640khz)达到0.85度,整个接收通道的噪声系数小于4db, 整体性能指标满足3gpp td-scdma 系统要求并达到世界一流水平。cl4520有着低成本、高动态范围、精确的直流偏置消除,以及精确的数字增益控制等优点。
cl4020的独特优势包括:
低成本:
-采用先进的cmos工艺,芯片制造费用低;
-芯片面积小;
-高集成度,集成了低通滤波器和∑-δ小数分频锁相环,外围器件少,总价低;
-支持与基带芯片进一步集成, 实现超低成本的soc。
低功耗:
-零中频架构,电路简单,耗电模块少;
-先进的深亚微米工艺,供应电压低;
-接入电流仅为90ma,在国内同业中实现最低功耗。
设计先进:
-采取数字检测与环路抵消等诸多技术手段,克服设计难点;
-大量采用数字信号控制前端射频,简化模拟电路设计,优化芯片功能表现。
中国专用:
-完全覆盖中国的td-scdma双频段(1880mhz-1920mhz;2010mhz-2025mhz);
-与国内所有的基带芯片接口匹配;
-支持单载波hsdpa,接收和发射evm指标均已实现,将在2007年实现hsdpa功能演示。
cl4520具有以下特征及优势:
成本低:
-自动频率控制数模转换;
-高动态范围的∑-△模数转换;
-发射采用精确步进的数字增益控制;
-支持多个参考时钟: 13mhz/26mhz/19.2mhz;
-双向的三线接口。
基于鼎芯该芯片套片的设计先进性和功能表现优异,达到了世界半导体cmos rf工业设计的最好性能,代表中国的cmos td-scdma射频芯片达到世界一流水平。
该两款芯片搭载先进的cmos技术平台,完全针对中国3g td-scdma 标准设计,均为48-pinqfn封装,尺寸7mm x 7mm。cl4020发射通道evm小于4%(td标准要求17%),锁相环相位积分噪声(1khz-640khz)达到0.85度,整个接收通道的噪声系数小于4db, 整体性能指标满足3gpp td-scdma 系统要求并达到世界一流水平。cl4520有着低成本、高动态范围、精确的直流偏置消除,以及精确的数字增益控制等优点。
cl4020的独特优势包括:
低成本:
-采用先进的cmos工艺,芯片制造费用低;
-芯片面积小;
-高集成度,集成了低通滤波器和∑-δ小数分频锁相环,外围器件少,总价低;
-支持与基带芯片进一步集成, 实现超低成本的soc。
低功耗:
-零中频架构,电路简单,耗电模块少;
-先进的深亚微米工艺,供应电压低;
-接入电流仅为90ma,在国内同业中实现最低功耗。
设计先进:
-采取数字检测与环路抵消等诸多技术手段,克服设计难点;
-大量采用数字信号控制前端射频,简化模拟电路设计,优化芯片功能表现。
中国专用:
-完全覆盖中国的td-scdma双频段(1880mhz-1920mhz;2010mhz-2025mhz);
-与国内所有的基带芯片接口匹配;
-支持单载波hsdpa,接收和发射evm指标均已实现,将在2007年实现hsdpa功能演示。
cl4520具有以下特征及优势:
成本低:
-自动频率控制数模转换;
-高动态范围的∑-△模数转换;
-发射采用精确步进的数字增益控制;
-支持多个参考时钟: 13mhz/26mhz/19.2mhz;
-双向的三线接口。
该两款芯片搭载先进的cmos技术平台,完全针对中国3g td-scdma 标准设计,均为48-pinqfn封装,尺寸7mm x 7mm。cl4020发射通道evm小于4%(td标准要求17%),锁相环相位积分噪声(1khz-640khz)达到0.85度,整个接收通道的噪声系数小于4db, 整体性能指标满足3gpp td-scdma 系统要求并达到世界一流水平。cl4520有着低成本、高动态范围、精确的直流偏置消除,以及精确的数字增益控制等优点。
cl4020的独特优势包括:
低成本:
-采用先进的cmos工艺,芯片制造费用低;
-芯片面积小;
-高集成度,集成了低通滤波器和∑-δ小数分频锁相环,外围器件少,总价低;
-支持与基带芯片进一步集成, 实现超低成本的soc。
低功耗:
-零中频架构,电路简单,耗电模块少;
-先进的深亚微米工艺,供应电压低;
-接入电流仅为90ma,在国内同业中实现最低功耗。
设计先进:
-采取数字检测与环路抵消等诸多技术手段,克服设计难点;
-大量采用数字信号控制前端射频,简化模拟电路设计,优化芯片功能表现。
中国专用:
-完全覆盖中国的td-scdma双频段(1880mhz-1920mhz;2010mhz-2025mhz);
-与国内所有的基带芯片接口匹配;
-支持单载波hsdpa,接收和发射evm指标均已实现,将在2007年实现hsdpa功能演示。
cl4520具有以下特征及优势:
成本低:
-自动频率控制数模转换;
-高动态范围的∑-△模数转换;
-发射采用精确步进的数字增益控制;
-支持多个参考时钟: 13mhz/26mhz/19.2mhz;
-双向的三线接口。