SN65LVDS3486BD的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:306
产品型号:sn65lvds3486bd
tx数:－
rx数:4
输入信号:lvds
输出信号:lvttl
信号率(mbps):400
tx tpd 典型(ns):－
rx tpd 典型(ns):4
icc max(ma):23
esdhbm(kv):15
工作电压(v):3.300
封装/温度(℃):soic16/-40~85
描述:4 lvds接收器
价格/1片(套):￥23.60
tx数:－
rx数:4
输入信号:lvds
输出信号:lvttl
信号率(mbps):400
tx tpd 典型(ns):－
rx tpd 典型(ns):4
icc max(ma):23
esdhbm(kv):15
工作电压(v):3.300
封装/温度(℃):soic16/-40~85
描述:4 lvds接收器
价格/1片(套):￥23.60
产品型号:sn65lvds3486bd
tx数:－
rx数:4
输入信号:lvds
输出信号:lvttl
信号率(mbps):400
tx tpd 典型(ns):－
rx tpd 典型(ns):4
icc max(ma):23
esdhbm(kv):15
工作电压(v):3.300
封装/温度(℃):soic16/-40~85
描述:4 lvds接收器
价格/1片(套):￥23.60
tx数:－
rx数:4
输入信号:lvds
输出信号:lvttl
信号率(mbps):400
tx tpd 典型(ns):－
rx tpd 典型(ns):4
icc max(ma):23
esdhbm(kv):15
工作电压(v):3.300
封装/温度(℃):soic16/-40~85
描述:4 lvds接收器
价格/1片(套):￥23.60
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