THS3092D的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:209
产品型号:ths3092d
工作电压±15(v):yes
工作电压±5v:yes
工作电压5v:－
最小稳定增益(v/v):235
带宽@acl(mhz):7300
转换速率(典型值) (v/us):42
设置时间(0.01％)(典型值)(ns):－
输出电流(典型值)(ma):250
总谐波失真thd(fc=1mhz)(典型值)(db):-75
差动增益(％):0.010
差动相位(deg):0.020
噪声(典型值):2
输入失调电压(max.)(mv):4
输入偏置电流(max.)(ua):20
通道数:2
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双通道高速电流反馈运放
价格/1片(套):￥91.60
工作电压±15(v):yes
工作电压±5v:yes
工作电压5v:－
最小稳定增益(v/v):235
带宽@acl(mhz):7300
转换速率(典型值) (v/us):42
设置时间(0.01％)(典型值)(ns):－
输出电流(典型值)(ma):250
总谐波失真thd(fc=1mhz)(典型值)(db):-75
差动增益(％):0.010
差动相位(deg):0.020
噪声(典型值):2
输入失调电压(max.)(mv):4
输入偏置电流(max.)(ua):20
通道数:2
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双通道高速电流反馈运放
价格/1片(套):￥91.60
产品型号:ths3092d
工作电压±15(v):yes
工作电压±5v:yes
工作电压5v:－
最小稳定增益(v/v):235
带宽@acl(mhz):7300
转换速率(典型值) (v/us):42
设置时间(0.01％)(典型值)(ns):－
输出电流(典型值)(ma):250
总谐波失真thd(fc=1mhz)(典型值)(db):-75
差动增益(％):0.010
差动相位(deg):0.020
噪声(典型值):2
输入失调电压(max.)(mv):4
输入偏置电流(max.)(ua):20
通道数:2
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双通道高速电流反馈运放
价格/1片(套):￥91.60
工作电压±15(v):yes
工作电压±5v:yes
工作电压5v:－
最小稳定增益(v/v):235
带宽@acl(mhz):7300
转换速率(典型值) (v/us):42
设置时间(0.01％)(典型值)(ns):－
输出电流(典型值)(ma):250
总谐波失真thd(fc=1mhz)(典型值)(db):-75
差动增益(％):0.010
差动相位(deg):0.020
噪声(典型值):2
输入失调电压(max.)(mv):4
输入偏置电流(max.)(ua):20
通道数:2
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双通道高速电流反馈运放
价格/1片(套):￥91.60
上一篇：THS3110CD的技术参数
上一篇：THS3091D的技术参数
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- OPA637AP的技术参数
- OPA551PA的技术参数
- OPA552PA的技术参数
- TPS76850QPWP的技术参数
- OPA603AP的技术参数
- TLE2142IP的技术参数
- LM337KC的技术参数
- ISO122JP的技术参数
- AU5517DR2G的技术参数
- LM317KC的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
