NE521DG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:213
产品型号:ne521dg
工作电压min. (v):-7
工作电压max. (v):7
输入失调电压max.(mv):7.500
输入失调电流iio(max)(na):5
输入偏置电流iio(max)(na):20
静态电流(total)(ma):－
响应时间（ns）:－
电源供电方式:双
通道数:2
封装/温度(℃):soic 14/0~70
描 述:高速双路差分比较器
价格/1片(套):￥20.30
工作电压min. (v):-7
工作电压max. (v):7
输入失调电压max.(mv):7.500
输入失调电流iio(max)(na):5
输入偏置电流iio(max)(na):20
静态电流(total)(ma):－
响应时间（ns）:－
电源供电方式:双
通道数:2
封装/温度(℃):soic 14/0~70
描 述:高速双路差分比较器
价格/1片(套):￥20.30
产品型号:ne521dg
工作电压min. (v):-7
工作电压max. (v):7
输入失调电压max.(mv):7.500
输入失调电流iio(max)(na):5
输入偏置电流iio(max)(na):20
静态电流(total)(ma):－
响应时间（ns）:－
电源供电方式:双
通道数:2
封装/温度(℃):soic 14/0~70
描 述:高速双路差分比较器
价格/1片(套):￥20.30
工作电压min. (v):-7
工作电压max. (v):7
输入失调电压max.(mv):7.500
输入失调电流iio(max)(na):5
输入偏置电流iio(max)(na):20
静态电流(total)(ma):－
响应时间（ns）:－
电源供电方式:双
通道数:2
封装/温度(℃):soic 14/0~70
描 述:高速双路差分比较器
价格/1片(套):￥20.30
上一篇：NE521DR2G的技术参数
上一篇：NCV2903DR2G的技术参数
相关技术资料- 7-26MOSFET 电感单片降压开关模式变换器优势特征
- 7-26SiC MOSFET 和 IGBT 隔离式栅极驱动器应用
- 7-26新型 电隔离无芯线性霍尔效应电流传感器
- 7-26业界超小绝对位置编码器技术参数设计
- 7-26高带宽、更高分辨率磁角度传感技术应用探究
- 7-26MagAlpha 角度位置传感器应用详解
- 7-25新一代 Cat 1 bis 技术应用简述
- 7-25世界上最小开源 LoRa + GPS 模块应用探究
- 7-25集成 ±0.2°C 温度传感器产品详情
- 7-25输出数字功率监测器INA745BQWRELRQ1
- 7-25高性能超紧凑型OSRAM CT ELLN51.14片式
- 7-25带单线HDQ接口和温度传感器BQ2028
- 相关IC型号
热门点击
- OPA551PA的技术参数
- OPA552PA的技术参数
- TPS76850QPWP的技术参数
- LM337KC的技术参数
- ISO122JP的技术参数
- AU5517DR2G的技术参数
- LM317KC的技术参数
- LM339N的技术参数
- TPS767D301PWP的技术参数
- ISO124P的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
