INA111AP的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:185
产品型号:ina111ap
输入类型:fet
增益范围(v/v):1~1000
非线性度(±)(max.)(％):0.005
输入失调电压(±)(max.)(uv/℃):500+2000/g
输入失调电压漂移(±)(max.)(uv/℃):5+2000/g
共模抑制比(min.)(db):106
输入偏置电流(±)(max.)(na):0.020
噪声@1khz:10
设置时间至0.01％ (典型值(us):4
静态电流±(典型值)(ma):3.300
工作电压max. (v):±18
工作电压min. (v):±6
封装/温度(℃):pdip-8/-40~85
描述:高速fet输入仪表运放
价格/1片(套):￥64.10
输入类型:fet
增益范围(v/v):1~1000
非线性度(±)(max.)(％):0.005
输入失调电压(±)(max.)(uv/℃):500+2000/g
输入失调电压漂移(±)(max.)(uv/℃):5+2000/g
共模抑制比(min.)(db):106
输入偏置电流(±)(max.)(na):0.020
噪声@1khz:10
设置时间至0.01％ (典型值(us):4
静态电流±(典型值)(ma):3.300
工作电压max. (v):±18
工作电压min. (v):±6
封装/温度(℃):pdip-8/-40~85
描述:高速fet输入仪表运放
价格/1片(套):￥64.10
产品型号:ina111ap
输入类型:fet
增益范围(v/v):1~1000
非线性度(±)(max.)(％):0.005
输入失调电压(±)(max.)(uv/℃):500+2000/g
输入失调电压漂移(±)(max.)(uv/℃):5+2000/g
共模抑制比(min.)(db):106
输入偏置电流(±)(max.)(na):0.020
噪声@1khz:10
设置时间至0.01％ (典型值(us):4
静态电流±(典型值)(ma):3.300
工作电压max. (v):±18
工作电压min. (v):±6
封装/温度(℃):pdip-8/-40~85
描述:高速fet输入仪表运放
价格/1片(套):￥64.10
输入类型:fet
增益范围(v/v):1~1000
非线性度(±)(max.)(％):0.005
输入失调电压(±)(max.)(uv/℃):500+2000/g
输入失调电压漂移(±)(max.)(uv/℃):5+2000/g
共模抑制比(min.)(db):106
输入偏置电流(±)(max.)(na):0.020
噪声@1khz:10
设置时间至0.01％ (典型值(us):4
静态电流±(典型值)(ma):3.300
工作电压max. (v):±18
工作电压min. (v):±6
封装/温度(℃):pdip-8/-40~85
描述:高速fet输入仪表运放
价格/1片(套):￥64.10
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