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提高稳压器过流保护能力的MOSFET

发布时间:2007/4/23 0:00:00 访问次数:503

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提高稳压器过流保护能力的 MOSFET

经典的 LM317型可调输出线性稳压器具有相当大的电流承受能力。此外,LM317还具有限流和过热保护功能。你只需用少量元件增加一个高速短路限流电路,就可提高LM317型 稳压器的性能(图1)。在正常工作状态下,电阻器 R2和R3将VGS偏压加到IRF4905S型功率 MOSFET Q1上,Q1完全导通,呈现数毫欧的导通电阻。电流采样电阻器R1两端的电压降与IC1的输入电流成正比,并为双极晶体管Q2提供基极驱动。
  当负载电流增加时,R1两端的电压随之升高,从而使Q2导通,并使Q1的栅极偏压下降。当Q1栅极偏压下降时,Q1的导通电阻增加,并按IMAX=VBEQ2/R1,即约为0.6V/1Ω来限制流入IC1的电流。
  正如 LM317的应用指南说明所说,电阻器R5和R6设定IC1的输出电压。改变R1的阻值,就可以将电路的限制电流从数毫安调至 LM317 的最大承受电流。二极管D1和D2分别可预防电容性负载放电和极性接反。根据电路的要求,IC1和Q1可能需要使用散热器。




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  当负载电流增加时,R1两端的电压随之升高,从而使Q2导通,并使Q1的栅极偏压下降。当Q1栅极偏压下降时,Q1的导通电阻增加,并按IMAX=VBEQ2/R1,即约为0.6V/1Ω来限制流入IC1的电流。
  正如 LM317的应用指南说明所说,电阻器R5和R6设定IC1的输出电压。改变R1的阻值,就可以将电路的限制电流从数毫安调至 LM317 的最大承受电流。二极管D1和D2分别可预防电容性负载放电和极性接反。根据电路的要求,IC1和Q1可能需要使用散热器。




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