NCP3063BDR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:356
产品型号:ncp3063bdr2g
输出电压(v):adj.
类型:升压/降压/反相型
输入电压最小值(v):3
开关电流最大值(a):1.500
开关频率(khz):150
封装/温度(℃):soic-8/-40~125
描述:1.5a,升压/降压/反相开关调节器
价格/1片(套):暂无
输出电压(v):adj.
类型:升压/降压/反相型
输入电压最小值(v):3
开关电流最大值(a):1.500
开关频率(khz):150
封装/温度(℃):soic-8/-40~125
描述:1.5a,升压/降压/反相开关调节器
价格/1片(套):暂无
产品型号:ncp3063bdr2g
输出电压(v):adj.
类型:升压/降压/反相型
输入电压最小值(v):3
开关电流最大值(a):1.500
开关频率(khz):150
封装/温度(℃):soic-8/-40~125
描述:1.5a,升压/降压/反相开关调节器
价格/1片(套):暂无
输出电压(v):adj.
类型:升压/降压/反相型
输入电压最小值(v):3
开关电流最大值(a):1.500
开关频率(khz):150
封装/温度(℃):soic-8/-40~125
描述:1.5a,升压/降压/反相开关调节器
价格/1片(套):暂无
上一篇：NCP3063BPG的技术参数
相关技术资料- 8-22首款集成 Balong 6000 5G 调制解调器芯
- 8-22第二代4纳米系统级芯片（SoC）架构骁龙平台
- 8-22集成低压硅基MOSFET应用详解
- 8-22高密度SiC/GaN功率转换控制驱动检测
- 8-22新型高压650V GaN FET—TP65H030G4PRS
- 8-22低噪声 μModule DC/DC 转换器技术参数设计
- 8-21新一代产品RL78 系列微控制器应用简述
- 8-21双端口静态随机存取存储器（SRAM）
- 8-21512kB – 1MB 闪存和 256kB SRAM应用探究
- 8-21480MHz Arm Cortex-M85图形微控制器
- 8-21 RGB 和 MIPI-DSI 接口RA8D1 MC
- 8-21RA 系列的Arm 微控制器 (MCU)
- 相关IC型号
热门点击
- LM385-1.2V的技术参数
- NCP1014AP065G的技术参数
- NCP1271D100R2G的技术参数
- UC3845DG的技术参数
- UC2843BDG的技术参数
- MC33167T的技术参数
- TL494CN的技术参数
- UC3844N的技术参数
- UCC28086PW的技术参数
- MC33364D的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
