MC33340D的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:245
产品型号:mc33340d
供电电压范围(v):3.25~18
可充电池节数:1
化学特性:nicd/nimh
典型工作电流(μa):650
封装/温度(℃):8soic/-25~85
描述:快速充电控制器
价格/1片(套):￥9.99
供电电压范围(v):3.25~18
可充电池节数:1
化学特性:nicd/nimh
典型工作电流(μa):650
封装/温度(℃):8soic/-25~85
描述:快速充电控制器
价格/1片(套):￥9.99
产品型号:mc33340d
供电电压范围(v):3.25~18
可充电池节数:1
化学特性:nicd/nimh
典型工作电流(μa):650
封装/温度(℃):8soic/-25~85
描述:快速充电控制器
价格/1片(套):￥9.99
供电电压范围(v):3.25~18
可充电池节数:1
化学特性:nicd/nimh
典型工作电流(μa):650
封装/温度(℃):8soic/-25~85
描述:快速充电控制器
价格/1片(套):￥9.99
上一篇：MC33340DG的技术参数
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- X9C103P的技术参数
- NCP1014AP065G的技术参数
- NCP1271D100R2G的技术参数
- UC2854BDW的技术参数
- UC3845DG的技术参数
- UC2843BDG的技术参数
- UC3844N的技术参数
- TL494CN的技术参数
- UCC28086PW的技术参数
- MC33364D的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
