TPS2320ID的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:298
产品型号:tps2320id
输出通道:2
使能/关闭电平:1l
控制方式:电压
输入最小电压(v):3
输入最大电压(v):13
静态电流(ma):0.500
过流瞬间滤波:可编程
启动延时:固定
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:3~13v双热插拔集成电路.低电平使能
价格/1片(套):￥20.90
输出通道:2
使能/关闭电平:1l
控制方式:电压
输入最小电压(v):3
输入最大电压(v):13
静态电流(ma):0.500
过流瞬间滤波:可编程
启动延时:固定
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:3~13v双热插拔集成电路.低电平使能
价格/1片(套):￥20.90
产品型号:tps2320id
输出通道:2
使能/关闭电平:1l
控制方式:电压
输入最小电压(v):3
输入最大电压(v):13
静态电流(ma):0.500
过流瞬间滤波:可编程
启动延时:固定
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:3~13v双热插拔集成电路.低电平使能
价格/1片(套):￥20.90
输出通道:2
使能/关闭电平:1l
控制方式:电压
输入最小电压(v):3
输入最大电压(v):13
静态电流(ma):0.500
过流瞬间滤波:可编程
启动延时:固定
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:3~13v双热插拔集成电路.低电平使能
价格/1片(套):￥20.90
上一篇：TPS2321ID的技术参数
上一篇：TPS2306DW的技术参数
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- X9C103P的技术参数
- NCP1271D100R2G的技术参数
- UC2854BDW的技术参数
- MC33364D的技术参数
- SN74LVC1G00DBVR的技术参数
- X9C102SIT1的技术参数
- X9xx-EVM的技术参数
- X9241AWP的技术参数
- MC34060APG的技术参数
- SN74LVC1G32DBVR的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
