TPS2013DR的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:311
产品型号:tps2013dr
fet数:1
输入电压最小值(v):2.700
输入电压最大值(v):5.500
限流最小值(a):1.650
每个fet的静态漏源直流电阻典型值(mω):75
静态电流典型值(μa):73
过流报告功能:no
过热报告功能:no
封装/温度(℃):8soic/-40~125
描述:过流,限流,欠压锁定,热关闭及esd保护,电源分配开关
价格/1片(套):￥18.00
fet数:1
输入电压最小值(v):2.700
输入电压最大值(v):5.500
限流最小值(a):1.650
每个fet的静态漏源直流电阻典型值(mω):75
静态电流典型值(μa):73
过流报告功能:no
过热报告功能:no
封装/温度(℃):8soic/-40~125
描述:过流,限流,欠压锁定,热关闭及esd保护,电源分配开关
价格/1片(套):￥18.00
产品型号:tps2013dr
fet数:1
输入电压最小值(v):2.700
输入电压最大值(v):5.500
限流最小值(a):1.650
每个fet的静态漏源直流电阻典型值(mω):75
静态电流典型值(μa):73
过流报告功能:no
过热报告功能:no
封装/温度(℃):8soic/-40~125
描述:过流,限流,欠压锁定,热关闭及esd保护,电源分配开关
价格/1片(套):￥18.00
fet数:1
输入电压最小值(v):2.700
输入电压最大值(v):5.500
限流最小值(a):1.650
每个fet的静态漏源直流电阻典型值(mω):75
静态电流典型值(μa):73
过流报告功能:no
过热报告功能:no
封装/温度(℃):8soic/-40~125
描述:过流,限流,欠压锁定,热关闭及esd保护,电源分配开关
价格/1片(套):￥18.00
上一篇：TPS2014P的技术参数
上一篇：TPS2013D的技术参数
相关技术资料- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 7-7AMOLED显示驱动芯片关键技术及应用
- 7-7CMOS图像传感器技术参数设计
- 7-7GB300 超级芯片应用需求分析
- 7-74NP 工艺NVIDIA Blackwell 架构 GPU
- 7-7GB300 芯片、NVL72 系统和液冷技术探究
- 7-7首个最新高端芯片人工智能服务器系统
- 相关IC型号
热门点击
- CY7C026AV-20AC的技术参数
- MPC17529EV的技术参数
- TMP122AIDBVT的技术参数
- CYD09S72V-133BBI的技术参数
- ULN2003AN的技术参数
- M25P32-VMF6G的技术参数
- TPS2013D的技术参数
- TPS2816DBVR的技术参数
- M25P64-VMF6P的技术参数
- TPIC6B595N的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
