DG409DY的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:307
产品型号:dg409dy
配置:diff4x1
导通电阻rds(on) (ω):40
导通时间t(on)(ns):115
关断时间t(off)(ns):105
电荷灌入(pc):20
漏电流leakage(na):0.040
src cap (pf):3
drncap (on)(pf):25
icc (a):0.2m
工作电压范围(v):+5~ +34, +/-5~ +/-20
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:差分4路cmos模拟转换开关
价格/1片(套):￥10.20
配置:diff4x1
导通电阻rds(on) (ω):40
导通时间t(on)(ns):115
关断时间t(off)(ns):105
电荷灌入(pc):20
漏电流leakage(na):0.040
src cap (pf):3
drncap (on)(pf):25
icc (a):0.2m
工作电压范围(v):+5~ +34, +/-5~ +/-20
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:差分4路cmos模拟转换开关
价格/1片(套):￥10.20
产品型号:dg409dy
配置:diff4x1
导通电阻rds(on) (ω):40
导通时间t(on)(ns):115
关断时间t(off)(ns):105
电荷灌入(pc):20
漏电流leakage(na):0.040
src cap (pf):3
drncap (on)(pf):25
icc (a):0.2m
工作电压范围(v):+5~ +34, +/-5~ +/-20
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:差分4路cmos模拟转换开关
价格/1片(套):￥10.20
配置:diff4x1
导通电阻rds(on) (ω):40
导通时间t(on)(ns):115
关断时间t(off)(ns):105
电荷灌入(pc):20
漏电流leakage(na):0.040
src cap (pf):3
drncap (on)(pf):25
icc (a):0.2m
工作电压范围(v):+5~ +34, +/-5~ +/-20
封装/温度(℃):16soic/-40~85
描述:差分4路cmos模拟转换开关
价格/1片(套):￥10.20
上一篇：ISL43640IR的技术参数
上一篇：DG409DJ的技术参数
相关技术资料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT应用前景简述
- 7-18最新一代低功耗内存LPDDR6标JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5标准应用探究
- 7-18Android 和Linux OS优势特征
- 7-18汽车混合信号微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS双通道隔离的闸门驱动器
- 7-17第二代储能电芯加速替代280Ah电芯应用详情
- 7-17业界首款超以太网和 UALink IP 解决方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 关键技术参数探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架构应用详解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器简述
- 7-174-20MA信号调节器技术参数设计
- 相关IC型号
热门点击
- CY7C026AV-20AC的技术参数
- MPC17529EV的技术参数
- TMP122AIDBVT的技术参数
- CYD09S72V-133BBI的技术参数
- ULN2003AN的技术参数
- M25P32-VMF6G的技术参数
- TPS2013D的技术参数
- TPS2816DBVR的技术参数
- M25P64-VMF6P的技术参数
- TPIC6B595N的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
