TPIC6B595DWR的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:334
产品型号:tpic6b595dwr
漏源电压最大值(v):50
工作电流(μa):20
连续输出电流(ma):150
峰值输出电流(a):0.500
静态漏源导通电阻(ω):4.200
传输延迟时间(ns):150
输入兼容性:cmos
封装/温度(℃):20soic/-40~125
描述:功率逻辑8位移位寄存器
价格/1片(套):￥7.20
漏源电压最大值(v):50
工作电流(μa):20
连续输出电流(ma):150
峰值输出电流(a):0.500
静态漏源导通电阻(ω):4.200
传输延迟时间(ns):150
输入兼容性:cmos
封装/温度(℃):20soic/-40~125
描述:功率逻辑8位移位寄存器
价格/1片(套):￥7.20
产品型号:tpic6b595dwr
漏源电压最大值(v):50
工作电流(μa):20
连续输出电流(ma):150
峰值输出电流(a):0.500
静态漏源导通电阻(ω):4.200
传输延迟时间(ns):150
输入兼容性:cmos
封装/温度(℃):20soic/-40~125
描述:功率逻辑8位移位寄存器
价格/1片(套):￥7.20
漏源电压最大值(v):50
工作电流(μa):20
连续输出电流(ma):150
峰值输出电流(a):0.500
静态漏源导通电阻(ω):4.200
传输延迟时间(ns):150
输入兼容性:cmos
封装/温度(℃):20soic/-40~125
描述:功率逻辑8位移位寄存器
价格/1片(套):￥7.20
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