2N6491G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:267
产品型号:2n6491g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):15
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):150
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):5
功率耗散pd（w）@25℃:75
封装/温度(℃):to220ab/-65~150
价格/1片(套):￥4.60
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):15
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):150
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):5
功率耗散pd（w）@25℃:75
封装/温度(℃):to220ab/-65~150
价格/1片(套):￥4.60
产品型号:2n6491g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):15
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):150
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):5
功率耗散pd（w）@25℃:75
封装/温度(℃):to220ab/-65~150
价格/1片(套):￥4.60
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):15
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):150
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):5
功率耗散pd（w）@25℃:75
封装/温度(℃):to220ab/-65~150
价格/1片(套):￥4.60
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