BSP52T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:245
产品型号:bsp52t1g
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):1
直流电流增益hfe最小值(db):2000
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):－
功率耗散pd（w）@25℃:1.250
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
价格/1片(套):￥1.10
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):1
直流电流增益hfe最小值(db):2000
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):－
功率耗散pd（w）@25℃:1.250
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
价格/1片(套):￥1.10
产品型号:bsp52t1g
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):1
直流电流增益hfe最小值(db):2000
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):－
功率耗散pd（w）@25℃:1.250
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
价格/1片(套):￥1.10
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大持续电流ic(max)(a):1
直流电流增益hfe最小值(db):2000
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):－
功率耗散pd（w）@25℃:1.250
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
价格/1片(套):￥1.10
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