MJB41CG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:281
产品型号:mjb41cg
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):6
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):3
总功耗pd(w):65
封装/温度(℃):3d2pak/-65~150
价格/1片(套):￥4.56
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):6
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):3
总功耗pd(w):65
封装/温度(℃):3d2pak/-65~150
价格/1片(套):￥4.56
产品型号:mjb41cg
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):6
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):3
总功耗pd(w):65
封装/温度(℃):3d2pak/-65~150
价格/1片(套):￥4.56
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):6
直流电流增益hfe最小值(db):20
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):3
总功耗pd(w):65
封装/温度(℃):3d2pak/-65~150
价格/1片(套):￥4.56
上一篇：MJD112-1G的技术参数
上一篇：MJ802G的技术参数
相关技术资料- 7-11最新12kW量产电源参考设计简述
- 7-11第三代快速碳化硅MOSFET技术参数应用
- 7-11800 V高压直流 (HVDC)全新架构电源系统
- 7-11串行千兆位媒体独立接口（SGMII和RGMII）
- 7-11Analog Devices ADIN3310应用详情
- 7-11干簧传感器MK17系列应用详解
- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 相关IC型号
热门点击
- MJ11015G的技术参数
- MJE15033G的技术参数
- 2N6027的技术参数
- 2N6508的技术参数
- MJE15034G的技术参数
- MCR100-8RLG的技术参数
- 2N6509的技术参数
- MJL21193G的技术参数
- 1.5KE7.5A的技术参数
- 2N6508G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
