MJD112RLG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:265
产品型号:mjd112rlg
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):2
直流电流增益hfe最小值(db):500
直流电流增益hfe最大值(db):12000
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):25
总功耗pd(w):20
封装/温度(℃):3dpak/-65~150
价格/1片(套):￥2.40
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):2
直流电流增益hfe最小值(db):500
直流电流增益hfe最大值(db):12000
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):25
总功耗pd(w):20
封装/温度(℃):3dpak/-65~150
价格/1片(套):￥2.40
产品型号:mjd112rlg
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):2
直流电流增益hfe最小值(db):500
直流电流增益hfe最大值(db):12000
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):25
总功耗pd(w):20
封装/温度(℃):3dpak/-65~150
价格/1片(套):￥2.40
类型:npn
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):100
集电极最大电流ic(max)(a):2
直流电流增益hfe最小值(db):500
直流电流增益hfe最大值(db):12000
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):25
总功耗pd(w):20
封装/温度(℃):3dpak/-65~150
价格/1片(套):￥2.40
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