MJE172G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:393
产品型号:mje172g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大电流ic(max)(a):3
直流电流增益hfe最小值(db):50
直流电流增益hfe最大值(db):250
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):50
总功耗pd(w):1.500
封装/温度(℃):to-225aa/-65~150
价格/1片(套):暂无
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大电流ic(max)(a):3
直流电流增益hfe最小值(db):50
直流电流增益hfe最大值(db):250
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):50
总功耗pd(w):1.500
封装/温度(℃):to-225aa/-65~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:mje172g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大电流ic(max)(a):3
直流电流增益hfe最小值(db):50
直流电流增益hfe最大值(db):250
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):50
总功耗pd(w):1.500
封装/温度(℃):to-225aa/-65~150
价格/1片(套):暂无
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):80
集电极最大电流ic(max)(a):3
直流电流增益hfe最小值(db):50
直流电流增益hfe最大值(db):250
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):50
总功耗pd(w):1.500
封装/温度(℃):to-225aa/-65~150
价格/1片(套):暂无
上一篇：MJE181G的技术参数
上一篇：MJE15035G的技术参数
相关技术资料- 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900
- 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景
- 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2
- 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计
- 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）
- 5-14双 LVDS （OpenLDI） LCD 视频处理器
- 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS
- 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解
- 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴
- 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块
- 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计
- 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器
- 相关IC型号
热门点击
- MJE15033G的技术参数
- PSSL1306T-220M-S的技术参数
- 2N6027的技术参数
- 2N6508的技术参数
- MJE15034G的技术参数
- MCR100-8RLG的技术参数
- 2N6509的技术参数
- MJL21193G的技术参数
- 1.5KE7.5A的技术参数
- MJE13003G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
