1.5SMC8.2AT3的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:252
产品型号:1.5smc8.2at3
雪崩电压vbrmin(v):7.790
雪崩电压vbrnom(v):8.200
雪崩电压vbrmax(v):8.610
it(ma):10
峰值反向工作电压vrwm(v):7.020
最大反向漏电流ir(ua):200
最大反向浪涌电流ipp(a):124
最大反向电压(钳位电压)vc(v):12.100
雪崩电压(vbr)最大温度系数(％/℃):0.070
芯片标识(mark):8v2a
封装/温度(℃):smc/-65~150
价格/1片(套):￥2.70
雪崩电压vbrmin(v):7.790
雪崩电压vbrnom(v):8.200
雪崩电压vbrmax(v):8.610
it(ma):10
峰值反向工作电压vrwm(v):7.020
最大反向漏电流ir(ua):200
最大反向浪涌电流ipp(a):124
最大反向电压(钳位电压)vc(v):12.100
雪崩电压(vbr)最大温度系数(％/℃):0.070
芯片标识(mark):8v2a
封装/温度(℃):smc/-65~150
价格/1片(套):￥2.70
产品型号:1.5smc8.2at3
雪崩电压vbrmin(v):7.790
雪崩电压vbrnom(v):8.200
雪崩电压vbrmax(v):8.610
it(ma):10
峰值反向工作电压vrwm(v):7.020
最大反向漏电流ir(ua):200
最大反向浪涌电流ipp(a):124
最大反向电压(钳位电压)vc(v):12.100
雪崩电压(vbr)最大温度系数(％/℃):0.070
芯片标识(mark):8v2a
封装/温度(℃):smc/-65~150
价格/1片(套):￥2.70
雪崩电压vbrmin(v):7.790
雪崩电压vbrnom(v):8.200
雪崩电压vbrmax(v):8.610
it(ma):10
峰值反向工作电压vrwm(v):7.020
最大反向漏电流ir(ua):200
最大反向浪涌电流ipp(a):124
最大反向电压(钳位电压)vc(v):12.100
雪崩电压(vbr)最大温度系数(％/℃):0.070
芯片标识(mark):8v2a
封装/温度(℃):smc/-65~150
价格/1片(套):￥2.70
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