1PMT12AT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:238
产品型号:1pmt12at1
雪崩电压vbrmin(v):13.300
雪崩电压vbrnom(v):14
雪崩电压vbrmax(v):14.700
it(ma):1
峰值反向工作电压vrwm(v):12
最大反向漏电流ir(ua):5
最大反向浪涌电流ipp(a):8.800
最大反向电压(钳位电压)vc(v):19.900
芯片标识(mark):mke
封装/温度(℃):powermite/-55~150
价格/1片(套):￥1.59
雪崩电压vbrmin(v):13.300
雪崩电压vbrnom(v):14
雪崩电压vbrmax(v):14.700
it(ma):1
峰值反向工作电压vrwm(v):12
最大反向漏电流ir(ua):5
最大反向浪涌电流ipp(a):8.800
最大反向电压(钳位电压)vc(v):19.900
芯片标识(mark):mke
封装/温度(℃):powermite/-55~150
价格/1片(套):￥1.59
产品型号:1pmt12at1
雪崩电压vbrmin(v):13.300
雪崩电压vbrnom(v):14
雪崩电压vbrmax(v):14.700
it(ma):1
峰值反向工作电压vrwm(v):12
最大反向漏电流ir(ua):5
最大反向浪涌电流ipp(a):8.800
最大反向电压(钳位电压)vc(v):19.900
芯片标识(mark):mke
封装/温度(℃):powermite/-55~150
价格/1片(套):￥1.59
雪崩电压vbrmin(v):13.300
雪崩电压vbrnom(v):14
雪崩电压vbrmax(v):14.700
it(ma):1
峰值反向工作电压vrwm(v):12
最大反向漏电流ir(ua):5
最大反向浪涌电流ipp(a):8.800
最大反向电压(钳位电压)vc(v):19.900
芯片标识(mark):mke
封装/温度(℃):powermite/-55~150
价格/1片(套):￥1.59
上一篇：1PMT16AT1的技术参数
上一篇：1SMC5.0AT3G的技术参数
相关技术资料- 7-11最新12kW量产电源参考设计简述
- 7-11第三代快速碳化硅MOSFET技术参数应用
- 7-11800 V高压直流 (HVDC)全新架构电源系统
- 7-11串行千兆位媒体独立接口（SGMII和RGMII）
- 7-11Analog Devices ADIN3310应用详情
- 7-11干簧传感器MK17系列应用详解
- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 相关IC型号
热门点击
- MJE15033G的技术参数
- 性能优异的芯片AT89C2051-24PI
- PSSL1306T-220M-S的技术参数
- ISP1362 USB OTG控制芯片及其应
- 2N6027的技术参数
- PSDS1306T-221M-S的技术参数
- 2N6508的技术参数
- MJE15034G的技术参数
- MCR100-8RLG的技术参数
- 2N6509的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
