1SMA5.0AT3G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:299
产品型号:1sma5.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):¥1.20
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):¥1.20
产品型号:1sma5.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):¥1.20
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):¥1.20
上一篇:1SMA54AT3G的技术参数
上一篇:1SMA48AT3G的技术参数
热门点击
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- MCM (Multi Chip Model)
- 万兆以太网物理层编码芯片设计
- 性能优异的芯片AT89C2051-24PI
- PSSL1306T-220M-S的技术参数
- 表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用
- ISP1362 USB OTG控制芯片及其应
- 圆晶级CSP组装及其可靠性
- 倒装芯片化学镀镍/金凸点技术
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]