1SMA5.0AT3G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:300
产品型号:1sma5.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):￥1.20
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):￥1.20
产品型号:1sma5.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):￥1.20
峰值反向工作电压vrwm(v):5
雪崩电压vbrmin(v):6.400
it(ma):10
最大反向电压(钳位电压)vc(v):9.200
最大反向浪涌电流ipp(a):43.500
最大反向漏电流ir(ua):400
芯片标识(mark):qe
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):￥1.20
上一篇：1SMA54AT3G的技术参数
上一篇：1SMA48AT3G的技术参数
相关技术资料- 7-11最新12kW量产电源参考设计简述
- 7-11第三代快速碳化硅MOSFET技术参数应用
- 7-11800 V高压直流 (HVDC)全新架构电源系统
- 7-11串行千兆位媒体独立接口（SGMII和RGMII）
- 7-11Analog Devices ADIN3310应用详情
- 7-11干簧传感器MK17系列应用详解
- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 相关IC型号
热门点击
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- MCM (Multi Chip Model)
- 万兆以太网物理层编码芯片设计
- 性能优异的芯片AT89C2051-24PI
- PSSL1306T-220M-S的技术参数
- 表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用
- ISP1362 USB OTG控制芯片及其应
- 圆晶级CSP组装及其可靠性
- 倒装芯片化学镀镍／金凸点技术
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
