1SMA8.0AT3G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:283
产品型号:1sma8.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):8
雪崩电压vbrmin(v):8.890
it(ma):1
最大反向电压(钳位电压)vc(v):13.600
最大反向浪涌电流ipp(a):29.400
最大反向漏电流ir(ua):25
芯片标识(mark):qr
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):暂无
峰值反向工作电压vrwm(v):8
雪崩电压vbrmin(v):8.890
it(ma):1
最大反向电压(钳位电压)vc(v):13.600
最大反向浪涌电流ipp(a):29.400
最大反向漏电流ir(ua):25
芯片标识(mark):qr
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:1sma8.0at3g
峰值反向工作电压vrwm(v):8
雪崩电压vbrmin(v):8.890
it(ma):1
最大反向电压(钳位电压)vc(v):13.600
最大反向浪涌电流ipp(a):29.400
最大反向漏电流ir(ua):25
芯片标识(mark):qr
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):暂无
峰值反向工作电压vrwm(v):8
雪崩电压vbrmin(v):8.890
it(ma):1
最大反向电压(钳位电压)vc(v):13.600
最大反向浪涌电流ipp(a):29.400
最大反向漏电流ir(ua):25
芯片标识(mark):qr
封装/温度(℃):sma/-65~150
价格/1片(套):暂无
上一篇:1SMA8.5AT3G的技术参数
上一篇:1SMA70AT3G的技术参数
热门点击
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- MCM (Multi Chip Model)
- 万兆以太网物理层编码芯片设计
- 芯片78L05相关问题
- 性能优异的芯片AT89C2051-24PI
- PSSL1306T-220M-S的技术参数
- 表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用
- ISP1362 USB OTG控制芯片及其应
- 圆晶级CSP组装及其可靠性
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]