擎泰研发之新一代combo快闪记忆卡控制芯片
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:618
擎泰科技(skymedi)宣布其所研发之新一代sd 2.0/mmc 4.2的combo快闪记忆卡控制芯片──sk6621,以及usb2.0随身碟控制芯片──sk6281,在多层单元(multi-level cell,mlc)闪存的支持与速度效能上皆有杰出的表现。
擎泰表示,目前其支持的slc芯片可到class6水平(新一代的高容量sdhc记忆卡,依速度分为class2、4、6;其中class6为最高等级),其所支持的mlc芯片甚至可支持class4的传输速度。
目前整个nand型闪存产业处于slc(single-level-cell)转换至mlc制程的交替期;mlc与slc芯片相较,虽然具有成本低廉的优势,然其速度较慢,因此需要控制芯片的效能够强,才能支持和弥补其缺点,因此slc芯片的nop(number of partial program)为4次,也就是每页可以写4次,然mlc的nop只能写1次;也就是说,支持mlc制程的控制芯片,需要较严格的标准,以充分发挥nand型flash芯片的功能。
擎泰科技所推出的sd2.0/mmc4.2 combo快闪记忆卡控制芯片以及usb2.0随身碟控制芯片,经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对校正;已能支持目前市场主流的mlc闪存,如英特尔、三星、东芝、美光(micron)、海力士(hynix)等flash,以提供客户低成本的sd/mmc与ufd产品解决方案。
此外,藉由优异的韧体设计,可大幅提升性能,达到最高的存取速度,例如:sk6621支持mlc可到class4水平,其所支持slc皆可支持到class6的传输速度。此外,sk6281达到vista readyboost速度的需求,且支持单颗mlc时可达22mb/s的读取速度及6mb/s的写入速度。
擎泰表示,目前其支持的slc芯片可到class6水平(新一代的高容量sdhc记忆卡,依速度分为class2、4、6;其中class6为最高等级),其所支持的mlc芯片甚至可支持class4的传输速度。
目前整个nand型闪存产业处于slc(single-level-cell)转换至mlc制程的交替期;mlc与slc芯片相较,虽然具有成本低廉的优势,然其速度较慢,因此需要控制芯片的效能够强,才能支持和弥补其缺点,因此slc芯片的nop(number of partial program)为4次,也就是每页可以写4次,然mlc的nop只能写1次;也就是说,支持mlc制程的控制芯片,需要较严格的标准,以充分发挥nand型flash芯片的功能。
擎泰科技所推出的sd2.0/mmc4.2 combo快闪记忆卡控制芯片以及usb2.0随身碟控制芯片,经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对校正;已能支持目前市场主流的mlc闪存,如英特尔、三星、东芝、美光(micron)、海力士(hynix)等flash,以提供客户低成本的sd/mmc与ufd产品解决方案。
此外,藉由优异的韧体设计,可大幅提升性能,达到最高的存取速度,例如:sk6621支持mlc可到class4水平,其所支持slc皆可支持到class6的传输速度。此外,sk6281达到vista readyboost速度的需求,且支持单颗mlc时可达22mb/s的读取速度及6mb/s的写入速度。
擎泰科技(skymedi)宣布其所研发之新一代sd 2.0/mmc 4.2的combo快闪记忆卡控制芯片──sk6621,以及usb2.0随身碟控制芯片──sk6281,在多层单元(multi-level cell,mlc)闪存的支持与速度效能上皆有杰出的表现。
擎泰表示,目前其支持的slc芯片可到class6水平(新一代的高容量sdhc记忆卡,依速度分为class2、4、6;其中class6为最高等级),其所支持的mlc芯片甚至可支持class4的传输速度。
目前整个nand型闪存产业处于slc(single-level-cell)转换至mlc制程的交替期;mlc与slc芯片相较,虽然具有成本低廉的优势,然其速度较慢,因此需要控制芯片的效能够强,才能支持和弥补其缺点,因此slc芯片的nop(number of partial program)为4次,也就是每页可以写4次,然mlc的nop只能写1次;也就是说,支持mlc制程的控制芯片,需要较严格的标准,以充分发挥nand型flash芯片的功能。
擎泰科技所推出的sd2.0/mmc4.2 combo快闪记忆卡控制芯片以及usb2.0随身碟控制芯片,经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对校正;已能支持目前市场主流的mlc闪存,如英特尔、三星、东芝、美光(micron)、海力士(hynix)等flash,以提供客户低成本的sd/mmc与ufd产品解决方案。
此外,藉由优异的韧体设计,可大幅提升性能,达到最高的存取速度,例如:sk6621支持mlc可到class4水平,其所支持slc皆可支持到class6的传输速度。此外,sk6281达到vista readyboost速度的需求,且支持单颗mlc时可达22mb/s的读取速度及6mb/s的写入速度。
擎泰表示,目前其支持的slc芯片可到class6水平(新一代的高容量sdhc记忆卡,依速度分为class2、4、6;其中class6为最高等级),其所支持的mlc芯片甚至可支持class4的传输速度。
目前整个nand型闪存产业处于slc(single-level-cell)转换至mlc制程的交替期;mlc与slc芯片相较,虽然具有成本低廉的优势,然其速度较慢,因此需要控制芯片的效能够强,才能支持和弥补其缺点,因此slc芯片的nop(number of partial program)为4次,也就是每页可以写4次,然mlc的nop只能写1次;也就是说,支持mlc制程的控制芯片,需要较严格的标准,以充分发挥nand型flash芯片的功能。
擎泰科技所推出的sd2.0/mmc4.2 combo快闪记忆卡控制芯片以及usb2.0随身碟控制芯片,经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对校正;已能支持目前市场主流的mlc闪存,如英特尔、三星、东芝、美光(micron)、海力士(hynix)等flash,以提供客户低成本的sd/mmc与ufd产品解决方案。
此外,藉由优异的韧体设计,可大幅提升性能,达到最高的存取速度,例如:sk6621支持mlc可到class4水平,其所支持slc皆可支持到class6的传输速度。此外,sk6281达到vista readyboost速度的需求,且支持单颗mlc时可达22mb/s的读取速度及6mb/s的写入速度。