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Atmel推出新型家用无线电前端硅锗IC

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:514

atmel近日宣布推出基于硅锗(sige)的新型前端集成电路(front-end ic)——atr0981。通过sige技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300mhz至500mhz),可实现从手持家用无线电(pmr专用移动无线电)设备到读表器(meter reader)等众多应用。由于该前端设备高度整合,使用这种前端设备能够设计外部元件较少的应用,包括接收路径的高效功率放大器(pa)和低噪音放大器(lna)。


相较于大多数分散的家用无线电前端解决方案,该集成电路利用atmel硅锗技术制成。由于受温度的影响较小,硅锗确保了高度可靠性和稳定性。节约组件成本的同时,较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。

此外,硅锗将功率附加效率(pae)提高至55%,这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低,从而延长电池寿命。输出功率可以达到29dbm,功率放大器的功率增益为34db,并可以在3db 范围内进行调整。atr0981的lna噪音系数为1.5db,功率增益为19db。

atr0981样品目前以无铅、环保psso20封装推出。购买1,000件的单价为1.2美元。



atmel近日宣布推出基于硅锗(sige)的新型前端集成电路(front-end ic)——atr0981。通过sige技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300mhz至500mhz),可实现从手持家用无线电(pmr专用移动无线电)设备到读表器(meter reader)等众多应用。由于该前端设备高度整合,使用这种前端设备能够设计外部元件较少的应用,包括接收路径的高效功率放大器(pa)和低噪音放大器(lna)。


相较于大多数分散的家用无线电前端解决方案,该集成电路利用atmel硅锗技术制成。由于受温度的影响较小,硅锗确保了高度可靠性和稳定性。节约组件成本的同时,较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。

此外,硅锗将功率附加效率(pae)提高至55%,这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低,从而延长电池寿命。输出功率可以达到29dbm,功率放大器的功率增益为34db,并可以在3db 范围内进行调整。atr0981的lna噪音系数为1.5db,功率增益为19db。

atr0981样品目前以无铅、环保psso20封装推出。购买1,000件的单价为1.2美元。



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